Silicon Valley Microelectronics SVM 磷/锑/砷掺杂剂的 N 型晶圆
Silicon Valley Microelectronics 提供各种带有磷/锑/砷掺杂剂的 N 型晶圆,直径从 50mm 到 300mm 不等。
N 型晶圆
纯硅不导电,因此很少用作半导体。为了将纯硅制成实用的半导体,必须添加一定量的杂质。杂质的加入会改变导电性,使硅变成半导体。向本征或纯材料中添加杂质的过程称为掺杂,杂质称为掺杂剂。掺杂后,本征材料成为外征材料。实际上,只有在掺杂之后,这些材料才能使用。
当杂质原子添加到硅中而不改变晶体结构时,会产生 N 型材料。在某些原子中,电子的价带中有五个电子,例如磷 (P)、砷 (As) 和锑 (Sb)。用任何一种杂质掺杂硅都不得改变晶体结构或键合过程。杂质原子的额外电子不参与共价键合,因此可以自由移动。只需要非常少量的杂质即可产生足够的自由电子,使电流流过硅。N 型硅是良导体。电子带负电荷,因此得名 N 型。下图显示了添加杂质原子后硅晶体的变化。
由于 N 型硅的导电性能,它被广泛用于功率器件、二极管和晶体管等许多应用。
直径:76mm/100mm/125mm | 直径:200mm | 直径:300mm |
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硅片 | 硅片 | 硅片 |
类型/掺杂剂:N – Phos/Sb/As | 类型/掺杂剂:N – Phos/Sb/As | 类型/掺杂剂:N – Phos/Sb/As |
方向: <100> | 方向: <100> | 方向: <100> |
电阻率:0-100 ohm-cm | 电阻率:0-100 ohm-cm | 电阻率:0-100 ohm-cm |
厚度:381μm/525μm/625μm +/- 20μm | 厚度:725μm +/- 20μm | 厚度:775μm +/- 20μm |
TTV:< 10μm | TTV:< 5μm | TTV:< 5μm |
平面:1 或 2/ SEMI 标准 | 缺口:SEMI 标准 | 缺口:SEMI 标准 |
单面抛光 | 单面抛光 | 双面抛光 |
颗粒 (LPD):<=20@>=0.3 微米 | 颗粒 (LPD):<=50@>=0.2um | 颗粒 (LPD):<=50@>=0.2um |