Silicon Valley Microelectronics SVM 300mm晶圆 SV025/SV026/SV027

Silicon Valley Microelectronics SVM 300mm晶圆 SV025/SV026/SV027

Silicon Valley Microelectronics SVM 双面抛光晶片、超扁平晶片

绝缘体上硅 (SOI) 晶圆

SOI 硅片于 20 世纪末问世,是一种带有绝缘层的专用硅片。这种晶片可提高集成电路的性能和能效,是低功耗设备和高速处理器等应用的理想选择。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成为可再生能源领域的基石,特别是在太阳能电池的生产中。将太阳光转化为电能的光伏(PV)电池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生产 18 英寸(450 毫米)晶圆的可能性,以进一步降低成本,提高芯片产量。与此同时,还在开发更薄的晶片,以尽量减少材料浪费,提高可持续性。

先进材料

虽然硅仍然是晶圆的主要材料,但碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等替代材料在大功率电子设备和射频设备等特定应用领域正受到越来越多的关注

量子计算

量子计算机的开发依赖于高度专业化的硅晶片来支持量子比特。这些硅片必须满足极其严格的纯度和结构完整性要求。

50mm-300mm 硅片

硅谷微电子公司提供不同直径的硅片(300 毫米、200 毫米、150 毫米、125 毫米、100 毫米、76 毫米和 50 毫米),规格多样,适用于各种应用。

可提供的不同直径产品的库存:300毫米、200毫米、150 毫米、125毫米、100 毫米、76 毫米、50毫米

300mm晶圆

直径类型/
掺杂剂
厚度 (um)定向

电阻率
(Ohm-cm)

TTV (um)凹槽/
定位边
背面粒子产品代码专业类别

300mmP/Boron775 +/-25{100}20 至 40<=0.9凹槽抛光<=15@>=0.09SV025标准
300mmP/Boron775 +/-10{100}6 至 12<=0.9凹槽抛光<=50@>=0.045SV026标准
300mmP/Boron775 +/-25{100}1 至 30<=3凹槽抛光<=50@>=0.065SV027标准
300mmP/Boron775 +/-25{100}1 至 100<=10凹槽抛光<=100@>=0.2SV028标准
300mmP/Boron775 +/-25{100}0.015-0.02<=5凹槽抛光<=50@>=0.12SV029标准
300mmP/Boron775 +/-25{100}1 至 100<=10凹槽抛光<=100@>=0.2SV030标准

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