Silicon Valley Microelectronics SVM 浮区（FZ）晶圆
Silicon Valley Microelectronics 提供直径从 50mm 到 200mm 不等的浮区 （FZ） 晶圆。这些晶圆具有低浓度的杂质和耐高温能力。FZ 晶圆的特性使其在各种应用中都优于 CZ 晶圆。
SVM Float Zone 晶圆样品规格：
- FZ 晶圆
- 直径：50mm、76mm、100mm、125mm、150mm、200mm
- 类型/掺杂剂：N/磷、P/硼、本征
- 方向： <100>， <110>， <111>
- 电阻率：<5 ohm-cm 至 >10,000 ohm-cm – SVM 可以为 FZ 晶圆提供多种电阻率范围。
- 厚度：每种直径均提供 SEMI 标准厚度，可根据要求提供定制厚度。
- 平面：1 / SEMI 标准 – 取决于给定直径的 SEMI 标准。
- TTV：< 5μm
- 正面：抛光
- 背面：蚀刻或抛光 – 两者都可用，具体取决于其他项目规格。
Float Zone 晶圆制造
浮区晶圆 （FZ） 是czochralski （CZ） 晶圆纯度高。这些晶片具有低浓度的杂质和耐高温能力。FZ 晶圆的特性使其在各种应用中都优于 CZ 晶圆。FZ 生长过程从硅锭开始，硅锭缓慢旋转并穿过加热元件。当加热元件沿铸锭移动时，铸锭的一部分被部分熔化。随着硅的重新凝固，当加热元件继续旋转并沿着硅锭移动时，缺陷仍然存在于熔化部分。整个铸锭通过加热元件并加入掺杂剂后，冷却切片。整个生长过程要么在真空中进行，要么在仅包含惰性气体的环境中进行，从而使铸锭能够在污染非常小的环境中生长。
在生长过程中，铸锭可能正掺杂（P 型）、负掺杂（N 型）或根本不掺杂（本征），具体取决于最终用户的应用。FZ 铸锭的高纯度意味着硅具有最小的碳和氧污染，以及最少量的氮，以控制铸锭内的微缺陷。它们的特性允许更高效的掺杂过程，有时会产生高达 50,000 ohm-cm 的电阻率测量值。
浮区晶圆通常用于制造分立功率器件、高效太阳能电池、射频 （RF） 芯片和光学产品。这些晶片在高温应用中也很普遍，因为氧和碳等元素在高温下不太可能变得活跃并损坏晶片。
Silicon Valley Microelectronics 提供直径从 50mm 到 200mm 不等的 FZ 晶圆。也可根据要求提供本征晶片。
