Silicon Valley Microelectronics SVM 双面抛光晶片、超扁平晶片

绝缘体上硅 (SOI) 晶圆

SOI 硅片于 20 世纪末问世，是一种带有绝缘层的专用硅片。这种晶片可提高集成电路的性能和能效，是低功耗设备和高速处理器等应用的理想选择。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成为可再生能源领域的基石，特别是在太阳能电池的生产中。将太阳光转化为电能的光伏（PV）电池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生产 18 英寸（450 毫米）晶圆的可能性，以进一步降低成本，提高芯片产量。与此同时，还在开发更薄的晶片，以尽量减少材料浪费，提高可持续性。

先进材料

虽然硅仍然是晶圆的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等替代材料在大功率电子设备和射频设备等特定应用领域正受到越来越多的关注

量子计算

量子计算机的开发依赖于高度专业化的硅晶片来支持量子比特。这些硅片必须满足极其严格的纯度和结构完整性要求。

50mm-300mm 硅片

硅谷微电子公司提供不同直径的硅晶片（300 毫米、200 毫米、150 毫米、125 毫米、100 毫米、76 毫米和 50 毫米），规格多样，适用于各种应用。

可提供的不同直径产品的库存：300毫米、200毫米、150 毫米、125毫米、100 毫米、76 毫米、50毫米

SVM采用同步双面抛光技术，因此可以提供各种高质量的超平晶圆，以满足每个客户的精确可控平面度要求。

SVM可供应各种高质量的超平晶圆，以满足每位客户的精确平面度控制要求。

硅谷微电子公司提供直径从 50 毫米到 200 毫米不等的浮区 (FZ) 晶圆。这些晶片具有杂质浓度低和耐高温的特点。FZ 晶圆的特性使其在各种应用中都比 CZ 晶圆更具优势。

硅谷微电子公司提供各种直径（50mm至300mm）的N型和P型低电阻率晶片，有或没有背封。我们可以实现电阻率<0.01 ohm-cm。

Silicon Valley Microlectronics 供应各种含磷/锑/砷掺杂剂的 N 型晶片，直径从 50 毫米到 300 毫米不等。

硅谷微电子公司提供各种 200 毫米和 300 毫米硬币卷晶片。