Silicon Valley Microelectronics SVM 低电阻率晶圆 N/P型掺杂晶圆

Silicon Valley Microelectronics SVM 低电阻率晶圆 N/P型掺杂晶圆

Silicon Valley Microelectronics 提供 50mm 至 300mm 各种直径的 N 型和 P 型低电阻率晶圆，带或不带背封。我们可以实现电阻率 <0.01 ohm-cm。

绝缘体上硅 (SOI) 晶圆

SOI 硅片于 20 世纪末问世，是一种带有绝缘层的专用硅片。这种晶片可提高集成电路的性能和能效，是低功耗设备和高速处理器等应用的理想选择。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成为可再生能源领域的基石，特别是在太阳能电池的生产中。将太阳光转化为电能的光伏（PV）电池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生产 18 英寸（450 毫米）晶圆的可能性，以进一步降低成本，提高芯片产量。与此同时，还在开发更薄的晶片，以尽量减少材料浪费，提高可持续性。

先进材料

虽然硅仍然是晶圆的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等替代材料在大功率电子设备和射频设备等特定应用领域正受到越来越多的关注

量子计算

量子计算机的开发依赖于高度专业化的硅晶片来支持量子比特。这些硅片必须满足极其严格的纯度和结构完整性要求。

低电阻率（重掺杂）晶圆

低电阻率晶圆是重掺杂的晶圆。它们对电流流动的阻力低，并因其高导电性而被使用。这些晶片可以充电正 （P 型） 或负 （N 型）.P 型晶片掺杂了硼，其中有带正电的原子，这些原子通过晶片传输电流。N 型晶圆带负电，并使用电子将电流带过晶圆。这些晶片可以掺杂磷、砷或锑以获得负电荷。

大多数晶圆在制造过程中都掺杂了。其他的，如本征晶片，在制造后被引入掺杂剂中。有几种技术可用于在晶圆制造后添加掺杂剂：空空间扩散、内晶格扩散和位置变化.所有这三种方法都涉及目标分子扩散到晶圆中。将掺杂剂引入晶圆的常见方法有三种：空空间扩散、内晶格扩散和位置变化。