可以提供以下SOI晶圆产品：
SOI（绝缘体上硅）
SOI是指一种特殊的绝缘层场效应晶体管技术。该结构通过绝缘层（埋氧层，BOX）将薄硅层与硅衬底隔离开来。这种分层结构可提供更优异的电气绝缘性能，降低寄生电容，从而提升集成电路及其他半导体元件的性能表现。
SOI晶圆结构解析
SOI晶圆通常包含三个核心功能层：
器件层：作为SOI晶圆的最上层，由高纯度薄硅层构成，是制造半导体器件的有效功能区。该硅层厚度可根据应用需求在数纳米至数微米之间进行调整。
埋氧层：位于活性硅层下方的绝缘层，通常由二氧化硅（SiO₂）构成。该绝缘层将活性硅层与底层衬底隔离，能有效防止层间电气干扰和漏电流现象。
衬底层：SOI晶圆最底部的硅衬底，为上层薄膜提供机械支撑和结构基础。该承载衬底通常采用标准硅晶圆结构。
