硅晶圆 – 25.4毫米至300毫米
正片、监控片、测试片；CZ法与FZ法；全尺寸规格；单面/双面抛光、切割、蚀刻、研磨等加工工艺
SEMI 国际标准晶圆规格
2英寸 标准晶圆——工艺：CZ法，直径：50.8毫米，厚度：280微米，掺杂：P型/硼，晶向：<100>，电阻率：1-30欧姆·厘米，表面：单面抛光，定位边：1个定位边，符合SEMI标准
3英寸 标准晶圆——工艺：CZ法，直径：76.2毫米，厚度：380微米，掺杂：P型/硼，晶向：<100>，电阻率：1-30欧姆·厘米，表面：单面抛光，定位边：2个定位边，符合SEMI标准
4英寸 标准晶圆——工艺：CZ法，直径：100毫米，厚度：525微米，掺杂：P型/硼 或 N型/磷，晶向：<100>，电阻率：1-30欧姆·厘米，表面：单面抛光，定位边：2个定位边，符合SEMI标准
6英寸 标准晶圆——工艺：CZ法，直径：150毫米，厚度：675微米，掺杂：P型/硼 或 N型/磷，晶向：<100>，电阻率：1-30欧姆·厘米，表面：单面抛光，定位边：2个定位边，符合SEMI标准
8英寸 标准晶圆——工艺：CZ法，直径：200毫米，厚度：725微米，掺杂：P型/硼，晶向：<100>，电阻率：1-5欧姆·厘米，表面：单面抛光，定位槽：V型槽，符合SEMI标准
12英寸 标准晶圆——工艺：CZ法，直径：300毫米，厚度：775微米，掺杂：P型/硼，晶向：<100>，电阻率：1-100欧姆·厘米，表面：双面抛光，定位槽：V型槽，符合SEMI标准
FZ / CZ 晶圆
FZ（区熔法）和 CZ（直拉法）晶圆代表了硅晶圆的两种不同制造工艺。FZ晶圆通过硅材料的熔融与再结晶过程制成，而CZ晶圆则是通过从硅熔体中缓慢提拉硅晶体获得。这两种工艺均可实现特定的晶向控制和掺杂分布。
正片晶圆是指全新制造的高纯度硅晶圆，主要用于集成电路、微处理器、微控制器、存储芯片、电子元器件及其他高端半导体产品的生产。该类晶圆严格遵循SEMI标准规范，具有品质卓越、缺陷率低及表面处理精密等特点。根据客户的特定需求和关注重点，个别参数（如颗粒度、总厚度偏差等）可达到比SEMI标准更为严苛的精度要求。
测试晶圆专为研发测试活动而制造。由于其核心用途是实验验证而非批量生产，这类晶圆在材料特性方面允许较大公差范围，也可存在轻微缺陷。
再生晶圆是通过对过剩正片晶圆进行再加工而获得的回收晶圆。这些晶圆经过特殊处理流程以消除缺陷并恢复表面质量。
硅晶圆的应用领域
半导体工业
硅晶圆用于制造各类集成电路，包括存储芯片与逻辑电路。半导体产业是电子设备制造和数字技术发展的基石。
微处理器与微控制器
硅晶圆是制造微处理器和微控制器的核心基材，这些器件广泛应用于计算机、智能手机及其他电子设备。这些应用直接决定了现代电子产品的功能性与运行效能。
光电子与传感技术
硅晶圆用于制造图像传感器、光电子元件及各类传感设备。这些器件普遍应用于摄像系统、照明技术、汽车工业等众多领域。
微机电系统
硅晶圆作为MEMS制造的基底平台，被用于生产传感器、执行器及微型机械系统。微机电系统在医疗技术、航空航天及消费电子等领域具有广泛应用。
