Sglux-SiC UV Photodiodes碳化硅紫外光电二极管

许秀娟18001942024

SiC UV Photodiodes碳化硅紫外光电二极管

主要特征：

  • 有效面积从0.06 mm到36 mm，象限光电二极管用于位置检测
  • 宽带紫外线的光谱响应或过滤的UVA、UVB、UVC或紫外线指数
  • 提供各种入口光学器件和外壳选项(TO或SMD)
  • 自2009年以来我们自己的SiC光电二极管芯片生产
  • 还提供VUV灵敏度
  • PTB(德国相当于NIST或NPL)测量高辐射硬度
  • 提供350°C高温稳定光电二极管
  • 光电二极管应用指南

Sglux SiC UV Photodiodes 碳化硅紫外光电二极管

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