SG01S-C18

UV 光电二极管

• UVC
• 0.06 mm2 探测器面积
• TO18 封装密封,带 1 个绝缘引脚和 1 个封装
• 10 mW/cm2 辐射在 275 nm (峰值灵敏度) 产生大约一个电流。960 nA
• 高辐射强度SiC UV光电二极管芯片(通过PTB检测)

SiC具有极高的辐射硬度、近乎完美的可见光盲区、低暗电流、高速度和低噪声等独特特性。这些特点使SiC成为可见光盲区半导体紫外光探测器的最佳材料。按照标准，Sglux的SiC探测器可在高达170°C的温度下永久运行。还提供了350°C版本。温度系数也很低，<0.1%/K。由于噪声低（暗电流在fA范围内），可以可靠地测量非常低的紫外辐射。请注意，此器件需要合适的信号转换器（参见第3页的典型电路）。光电二极管提供七种不同的活性芯片面积，从0.06 mm2到36 mm2。标准版本是宽带UVA–UVB-UVC。四个滤波版本导致更紧密的灵敏度范围。所有光电二极管均具有密封的金属外壳（TO型），直径为5.5毫米（TO18）或9.2毫米（TO5）。进一步的选项是2引脚头（1隔离，1接地）或3引脚头（2隔离，1接地），以及用于低于200纳米的真空紫外线测量的SG03系列或增强型UVA灵敏度范围的6H系列，SMD封装的光电二极管，以及具有圆形活性区域的光电二极管，用于更均匀的视场。

规格参数：

规范化光谱响应：