SiC UV Photodiodes–Broadband UV
碳化硅紫外光电二极管
光谱灵敏度从221到358纳米，峰值波长280纳米，
不同的包装，按探测器区域分类。
型号：
SG01S-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06毫米，TO18外壳
SG01S-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06毫米，TO18短帽
SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，TO18外壳，隔离
SG01S-18D
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，带扩散片，TO18外壳
SG01S-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06毫米，TO5短帽
SG01M-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO18外壳
SG01M-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO18短帽
SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO18外壳，隔离
SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC，6H SiC芯片，芯片有效面积= 0.20 mm，TO18外壳
SG01M-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO5短帽
SG01M-5透镜
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO5镜头盖，根据EN298标准(火焰检测，还有H2燃烧器)
SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC，6H SiC芯片，芯片有效面积= 0.20 mm，TO5短帽
SG01D-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳
SG01D-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50毫米，TO18短帽
SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳，隔离
SG01D-18D
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，带扩散片，TO18外壳
SG01D-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO5短帽
SG01D-5透镜
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50毫米，TO5镜头盖，根据EN298标准(火焰检测，还有H2燃烧器)
SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO5短帽，隔离
SG01L-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO18外壳
SG01L-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO18短帽
SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，TO18外壳，隔离
SG01L-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO5短帽
SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，TO5短帽，隔离
SG01L-5透镜
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO5镜头盖
SG01L-SMD
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1，00 mm，3535 SMD陶瓷外壳，带矿物窗玻璃材料
SG01F-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.82 mm，TO5短帽，隔离
SG01XL-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 7.60 mm，TO5外壳
SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 7.60 mm，TO5短帽，隔离
SG01Q-5
UVA+UVB+UVC，象限光电二极管，芯片有效面积= 4 x 1.4 mm，TO5短帽
SG01XXL-8ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 36.00 mm，TO8短帽，隔离
