SG01S-C18

UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，TO18外壳

SG01S-C18-LED

用于UVC LED测量的UVC光电二极管，芯片有效面积= 0.06 mm，TO18外壳

SG01S-C18D

UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，带扩散片，TO18外壳

SG01S-C18ISO90

UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，TO18外壳，隔离

SG01S-C18ISO90D

UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，带扩散器，TO18外壳，隔离

SG01S-C5

UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，TO5外壳

SG01M-C18

UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO18外壳

SG01M-C18ISO90

UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO18外壳，隔离

SG01M-C5

UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO5外壳

SG01M-C5ISO90

UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO5外壳，隔离

SG01M-C5D

UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，带扩散片，TO5外壳

SG01D-C18

UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳

• UVC
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-C18ISO90

UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳，隔离

• UVC
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，两个隔离引脚，一个附加接地引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-C18D

UVC，芯片有效面积= 0.5 mm，带扩散片，TO18外壳

• UVC
• 0.5毫米²探测器灵敏面积
• 使用扩散器在孔径上产生朗伯响应
• TO18密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。0.9纳
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-C5ISO90

UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO5外壳，隔离

• UVC
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，两个隔离引脚，一个附加接地引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-C5镜头

UVC，芯片有效面积= 0.50毫米，TO5镜头盖

• UVC
• 0.50毫米检测器面积
• TO5密封金属外壳，带聚光透镜
• 在275纳米(峰值响应度)下10瓦/厘米的辐射产生大约100瓦的电流。42纳
• 1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-C5D

UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，带扩散片，TO5外壳

• UVC
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• 使用扩散器在孔径上产生朗伯响应
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。0.9纳
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01L-C18

UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO18外壳

• UVC
• 1.00毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。16 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01L-C5

UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO5外壳

• UVC
• 1.00毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。16 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01L-C5D

UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，带扩散片，TO5外壳

• UVC
• 1.00毫米²探测器灵敏面积
• 使用扩散器在孔径上产生朗伯响应
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。2 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01F-C5

UVC，芯片有效面积= 1.82 mm，TO5外壳

• UVC
• 1.82毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 1瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。3 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01XL-C5

UVC，芯片有效面积= 7.60 mm，TO5外壳

• UVC
• 7.60毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在275纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。120 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度