SG01S-BC18

• UVB+UVC
• 0.06毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10毫瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。960纳
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01M-BC18

• UVB+UVC
• 0.20毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10毫瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。3330北美
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01M-BC5

• UVB+UVC
• 0.20毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10毫瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。3330北美
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-BC18

• UVB+UVC
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-BC18ISO90

• UVB+UVC
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，两个隔离引脚，一个附加接地引脚
• 10瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。8 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01D-B5

• 紫外线B
• 0.50毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在310纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。1 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01L-BC18

• UVB+UVC
• 1.00毫米²探测器灵敏面积
• TO18密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。17 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01L-BC5

• UVB+UVC
• 1.00毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。17 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度

SG01XL-BC5

• UVB+UVC
• 7.60毫米²探测器灵敏面积
• TO5密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
• 10瓦/厘米²在280纳米(峰值响应度)的照射下，电流约为。122 nA
• 具有PTB的SiC芯片报道了高辐射硬度++

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