德国Sglux光电二极管SG01S-18D带扩散器，TO18 外壳
紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC）
0.06 mm² 探测器面积
使用扩散器在孔径上产生朗伯响应
TO18 密封金属外壳，1 个隔离引脚和 1 个外壳引脚
在 280 nm 处 10 mW/cm² 的照射（峰值响应度）产生的电流约为 123 nA
据报道，具有 PTB 的 SiC 芯片具有高辐射硬度
我们的碳化硅 （SiC） 光电二极管芯片是我们工业传感器的核心组件，作为 NASA 任务“Mars2020”的一部分，也在火星上工作。
德国Sglux UV光电二极管 峰值波长 280 nm管带紫外二极管
光谱灵敏度为 221 至 358 nm，峰值波长为 280 nm，
采用不同的封装，按检测器区域排序。
SG01S-18
SG01S-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.06 mm²，TO18 短帽
SG01S-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.06 mm²，TO18 外壳，隔离
SG01S-18D
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.06 mm²，带扩散器，TO18 外壳
SG01S-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.06 mm²，TO5 短帽
SG01M-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO18 封装
SG01M-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO18 短帽
SG01M-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO18 外壳，隔离
SG01M6H-18
UVA+UVB+UVC，6H SiC 芯片，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO18 封装
SG01M-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO5 短帽
SG01M-5镜头
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO5 镜头帽，符合 EN298 标准（火焰检测，包括 H2 燃烧器）
SG01M6H-5
UVA+UVB+UVC，6H SiC 芯片，芯片有效面积 = 0.20 mm²，TO5 短帽
SG01D-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，TO18 封装
SG01D-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，TO18 短帽
SG01D-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，TO18 外壳，隔离
SG01D-18D
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，带扩散器，TO18 外壳
SG01D-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，TO5 短帽
SG01D-5镜头
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，TO5 镜头帽，符合 EN298 标准（火焰检测，也是 H2 燃烧器）
SG01D-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 0.50 mm²，TO5 短帽，隔离
SG01L-18
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，TO18 封装
SG01L-18S
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，TO18 短帽
SG01L-18ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，TO18 外壳，隔离
SG01L-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，TO5 短帽
SG01L-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，TO5 短帽，隔离
SG01L-5镜头
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，TO5 镜头帽
SG01L-贴片机
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.00 mm²，3535 SMD 陶瓷外壳，采用矿物窗玻璃材料
SG01F-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.82 mm²，TO5 短帽
SG01F-5ISO90 铜质合金
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 1.82 mm²，TO5 短帽，隔离
SG01XL-5
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 7.60 mm²，TO5 外壳
SG01XL-5ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 7.60 mm²，TO5 短帽，隔离
SG01Q-5
UVA+UVB+UVC，象限光电二极管，芯片有效面积 = 4 x 1.4 mm²，TO5 短帽
SG01XXL-8ISO90
UVA+UVB+UVC，芯片有效面积 = 36.00 mm²，TO8 短帽，隔离
德国技术用于水和表面净化、医疗技术、火焰检测、油墨和聚合物固化。
SGLUX成立于2003年，是一个由科学家、工程师和生产、质量和物流专业人士组成的团队。我们在紫外线测量元件的开发、生产和校准领域拥有 140 多年的经验。我们因生产简单优质的紫外线传感器的热情而团结在一起 – 几年来，我们在德国最大的科技园区 Berlin-Adlershof 的自有大楼里从事这项工作。我们的客户欣赏我们的专业知识、强烈的客户导向以及我们在 UV 测量价值链中的解决方案专业知识。我们的产品系列采用模块化概念，从生产 SiC 光电二极管晶片、SiC 光电二极管和 SiC 混合体 （TOCON） 到物联网就绪传感器探头、辐射计和 PTB 认证校准标准。德国Sglux碳化硅（SiC）紫外光电二极管
紫外光电二极管常见问题解答：为什么有些光电二极管具有不同的芯片有效面积？
-摘要：
降低辐照度需要增加芯片有效面积。如果要测量的辐照度未知，则应使用 L 芯片光电二极管进行原型设计。
详细答案：
芯片的有效面积决定了光电探测器可以收集多少个光子。半导体探测器，如 SiC 紫外光电二极管，将光子转换为电流，即光电流 I。该光电流随芯片的辐照度和有效面积线性增加。由于探测器的价格随着有效面积的增加而增加，因此面积的选择本质上是成本和光电流之间的折衷。 如果您知道希望使用 UV 光电二极管测量的最小和最大辐照度，以下简化公式给出了给定芯片有效面积 AChip 的光电流 I 的粗略估计值。I=Achip *Eλ *1000，其中 I 是以 nA 为单位的光电流，A 是以 mm² 为单位的有效芯片面积（输入值 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1 或 1.82 或 7.6 或 36），Eλ 是您想要测量的紫外线光源的光谱辐照度，单位为 mW/cm²。最小电流（待测最低辐照度下的光电二极管输出）应不小于 500pA。如果您不知道 Eλ，则应使用 L 芯片 （1.00mm²） 型光电二极管进行第一步评估。什么时候需要宽带光电二极管，什么时候需要用于 UVA、UVB、UVC 或 UV 指数的滤波光电二极管？
-对于 UV 测量，默认
-使用未滤波的宽带 SiC 详细：
默认情况下，未滤波的宽带 SiC 用于 UV 测量。如果紫外线源还发出对传感器信号没有影响的辐射（例如，用于水或空气净化的紫外线中压灯也发出非杀菌紫外线辐射），则应选择过滤后的 SiC 检测器（仅限 UVC、UVB+C 或 UVA）。你们生产 SMD 型光电二极管吗？
-摘要：
可以，但我们不建议使用它们。
详细解答：
是的，我们制造 3535 SMD 型光电二极管（陶瓷封装），但我们建议使用金属 TO 光电二极管。光电二极管芯片在带有熔融玻璃窗口的金属 TO 外壳中的封装和气密密封是一种成熟且极其可靠的工艺，已经使用了 50 多年。TO 封装的 sglux SiC UV 光电二极管通常是产品中最可靠、最耐用的元件，即使暴露在非常高的紫外线辐射下或在高温水平下运行也是如此。 然而，长寿命 UV LED（也是 UVC 系列）的最新开发进展允许用这些 LED 取代 UV 低压管，从而显着减小产品尺寸。紫外线透射率测量模块或使用点 LED UVC 消毒模块等产品的小型化使我们的客户能够进入新的应用领域。有时，我们的 TO 封装 UV 光电二极管被认为太笨重。 我们的 SiC SMD 光电二极管系列专为这些应用而设计。该封装由陶瓷体和矿物窗口玻璃组成，使这些 SMD 光电二极管尽可能可靠。然而，TO 型光电二极管在耐用性、可靠性和价格方面仍然是最佳选择。您生产具有 2 个引脚和 3 个引脚的光电二极管。第三个引脚有什么用？
-总结：
默认情况下，使用 2 引脚光电二极管。
详细解答：
默认情况下，使用 2 引脚光电二极管。一个引脚连接到光电二极管的金属体和阳极。另一个引脚被隔离并连接到阴极。3 引脚光电二极管的特点是两个隔离引脚（连接到阳极和阴极）和一个连接到金属外壳的引脚。如果光电二极管封装与客户产品的金属部件接触，则使用 3 引脚光电二极管。SiC 光电二极管的响应时间是多少？
-摘要：
响应时间约为 190ps （FWHM）。
详细解答：
在柏林亥姆霍兹中心，对 266 nm fs 激光脉冲的脉冲激发进行了研究。测得的 SiC 光电二极管的响应时间由 0 V 偏置电压下 7 ns 的衰减常数决定。在最大偏置电压为 -160 V 时，它以指数关系收敛到 3.5 ns。 上升时间不能用可用的设置精确测量，但比 80 ps （sigma） 快，即约 190 ps （FWHM）。光电二极管的饱和度如何？
-总结：
SiC 光电二极管的饱和功率约为 4.2 kW/cm²。如此高的辐照度是非常不寻常的。
详细解答：
光电二极管的饱和电流 Isat 由其开路电压 VOC 和串联电阻 RS 根据公式确定：Isat = VOC / RS VOC 的典型值（SiC 光电二极管）为 2.0 V，RS = 5 欧姆。这得到 Isat = 2.0 V / 5 欧姆 = 0.4 A = 400 mA。 饱和辐射强度 z 使用以下公式计算：z = Isat / （S * A） 其中 S 是光电二极管的灵敏度，A 是有效区域。S 的典型值为 0.16 A/W，A = 0.06 mm²（对 SG01S 有效）。由此得出：zsat = 0.4 A / （0.160 A/W * 6 * 10-8 m²） = 约 42 MW/m² = 4.2 kW/cm²。如此高的辐照度是非常不寻常的。然而，一些激光测量应用可以在短时间内达到这样的辐照度水平。这可能会影响光电二极管的输出电流。请联系我们以获取更多信息。光电二极管防水吗？
-是的，光电二极管是密封的，因此具有防水性能。但是，背面的触针不得与水和湿气接触。这将影响光电二极管的输出电流。
