代理Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光电二极管
- UVA
- 0.50 mm 2检测器区域
- TO5密封的金属外壳,1个孤立的销钉和1个针销
- 在331 nm处的10 µW/cm 2辐射(峰值响应率)导致电流约为。 2.3 NA
- SIC芯片与PTB报告高辐射硬度
碳化硅(SiC)具有独特的极端抗辐射性、近乎完美的可见光盲性、低暗电流、高响应速度和低噪声等特性,这些特性使其成为目前可见光盲半导体紫外探测器的最佳材料。Sglux的SiC探测器标准版本可长期在170°C高温下稳定工作,另提供350°C高温定制版本。其温度系数极低(<0.1%/K),配合fA级的超低噪声(暗电流),可精准测量极微弱的紫外辐照度。
Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光电二极管规格:
Sglux GmbH SG01D-A5 UV Photodiodes紫外光电二极管图纸:
我什么时候需要一个宽带光电二极管,什么时候需要UVA,UVB,UVC或UV索引过滤的光电二极管?
默认情况下,未过滤的宽带SIC用于紫外线测量。如果紫外线源还会发出不得有助于传感器信号的辐射(例如,用于水或空气纯化的UV培养基灯也应发出非胚胎紫外线辐射),则应选择过滤后的SIC检测器(UVC,UVB+C或仅UVA)。