SG01D–18 紫外光电二极管
SG01D-18
- 紫外线宽带 （UVA+UVB+UVC）
- 0.50 mm² 探测器面积
- TO18 密封金属外壳
- 在 280 nm 处 10 μW/cm² 的照射（峰值响应度）产生的电流约为 8 nA
- 1 个隔离引脚和 1 个外壳引脚
- 据报道，具有 PTB 的 SiC 芯片具有高辐射硬度
特性：
- 宽带 UVA+UVB+UVC、PTB 报告了高芯片稳定性
- 有效面积 A = 0.50 mm2
- TO18 密封金属外壳，1 个隔离引脚和 1 个外壳引脚
- 10 μW/cm2 峰值辐射导致电流约为 8.0 nA
关于 sglux SiC UV 光电二极管
SiC 具有极高的抗辐射性、近乎完美的可见盲、低暗电流、高速和低噪声等独特特性。这些特性使 SiC 成为可见盲半导体紫外检测器的最佳可用材料。根据标准，SiC 探测器可以在高达 170°C 的温度下永久运行。提供 350°C 版本。
温度系数也很低，< 0.1%/K。由于噪声低（暗电流在 fA 范围内），可以可靠地测量非常低的紫外线辐照度。请注意，此设备需要合适的信号传感器（参见第 3 页的典型电路）。
光电二极管提供 7 种不同的有源芯片面积，从 0.06 mm2到 36 mm2 不等。标准版本为宽带 UVA-UVB-UVC。四个滤波版本可实现更严格的灵敏度范围。所有光电二极管均采用密封金属外壳（TO 型），直径为 5.5 mm （TO18） 或 9.2 mm （TO5）。其他选项包括 2 针接头（1 个隔离，1 个接地）或 3 针接头（2 个隔离，1 个接地）以及用于 200 nm 以下真空紫外线测量的 SG03 系列或用于增强 UVA 灵敏度范围的 6H 系列， SMD 封装的光电二极管和具有圆形有源的光电二极管可实现更均匀的视场。
规格：
归一化光谱响应度
