2025年12月10日胡原19921558176（微信同号）

RoithnerLaser发光二极管 LED405-02 405 405nm紫外LED 紫外发光二极管激光二极管二极管

LED405-02

紫外 LED
波长 405 nm，功率 18 mW
芯片：InGaN，尺寸 350 x 350 μm，1 片
5 mm 透明模塑封装，环氧树脂
视角：8°

产品描述

LED405-02 包含一片 InGaN LED 芯片，典型峰值波长为 405 nm，辐射功率为 18 mW。它采用 5 mm 透明模塑封装，带有焊接引线框架（无铅），透镜采用环氧树脂模塑而成。

最大额定值（外壳温度 $T_{外壳} = 2 5^{\circ} C$ ）

参数	符号	最小值	数值	最大值	单位
功耗	$P_{D}$			200	mW
正向电流	$I_{F}$			50	mA
脉冲正向电流 *¹	$I_{FP}$			100	mA
反向电压	$V_{R}$			5	V
热阻	$R_{t h J A}$			200	K/W
结温	$T_{J}$			120	°C
工作温度	$T_{外壳}$	-20		+100	°C
存储温度	$T_{STG}$	-20		+100	°C
引脚焊接温度 *²	$T_{S L D}$			+265	°C

*¹ 占空比=1%，脉冲宽度 = 10 µs
*² 必须在 5 秒内完成

光电特性（外壳温度 $T_{外壳} = 2 5^{\circ} C$ ）

参数	符号	条件	最小值	数值	最大值	单位
峰值波长	$λ_{P}$	$I_{F} = 20 m A$	400	405	410	nm
半峰宽	$Δ λ$	$I_{F} = 20 m A$		3.3	4.0	nm
正向电压	$V_{F}$	$I_{F} = 20 m A$		3.9		V
	$V_{FP}$	$I_{FP} = 100 m A$				V
辐射功率 *¹	$P_{o}$	$I_{F} = 20 m A$		18		mW
		$I_{FP} = 100 m A$		69		mW
辐射强度 *²	$I_{e}$	$I_{F} = 20 m A$		200		mW/sr
		$I_{FP} = 100 m A$		770		mW/sr
视角	$2 θ_{1/2}$	$I_{F} = 20 m A$		8		deg.
上升时间	$t_{r}$	$I_{F} = 20 m A$		10		ns
下降时间	$t_{f}$	$I_{F} = 20 m A$		15		ns

*¹ 使用 S3584-08 测量
*² 根据 CIE127-2007 条件 B 测量*