LED385-03
产品描述
LED385-03 包含一片 InGaN LED 芯片,典型峰值波长为 385 nm,辐射功率为 18 mW。它采用 Ø5 mm 透明模塑封装,带有焊接引线框架(无铅),透镜采用环氧树脂模塑而成。
最大额定值(外壳温度 T外壳=25°C)
| 参数 | 符号 | 最小值 | 数值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 功耗 | PD | 220 | mW | ||
| 正向电流 | IF | 50 | mA | ||
| 脉冲正向电流 *¹ | IFP | 100 | mA | ||
| 反向电压 | VR | 5 | V | ||
| 热阻 | RthJA | 230 | K/W | ||
| 结温 | TJ | 120 | °C | ||
| 工作温度 | T外壳 | -20 | +100 | °C | |
| 存储温度 | TSTG | -20 | +100 | °C | |
| 引脚焊接温度 *² | TSLD | +265 | °C |
*¹ 占空比 = 1%,脉冲宽度 = 10 µs
*² 必须在 5 秒内完成
光电特性(外壳温度 T外壳=25°C)
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 数值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 峰值波长 | λP | IF=20mA | 380 | 385 | 390 | nm | |
| 半峰宽 | Δλ | IF=20mA | 9 | 14 | nm | ||
| 正向电压 | VF | IF=20mA | 3.9 | V | |||
| VF | IFP=100mA | V | |||||
| 反向电流 | IR | VR=5V | µA | ||||
| 辐射功率 *¹ | Po | IF=20mA | 18 | mW | |||
| IFP=100mA | 83 | mW | |||||
| 辐射强度 *² | Ie | IF=20mA | 120 | mW/sr | |||
| IFP=100mA | 550 | mW/sr | |||||
| 视角 | 2θ1/2 | IF=20mA | 18 | deg. | |||
| 上升时间 | tr | IF=20mA | 10 | ns | |||
| 下降时间 | tf | IF=20mA | 10 | ns |
*¹ 使用 S3584-08 测量
*² 根据 CIE127-2007 条件 B 测量*
