奥地利ROITHNER,碳化硅紫外光电二极管,带 TIA 的碳化硅紫外光电二极管,磷化镓紫外光电二极管,GUV系列,带 TIA 的 GUV 系列
碳化硅紫外光电二极管
基于 SiC（碳化硅）的紫外光电二极管具有以下独特性能
- 极端辐射硬度，
- 近乎完美的可见失明，
- 低暗电流，
- 高速、低噪音。
170°C 的温度下永久运行
带 TIA 的碳化硅紫外光电二极管
碳化硅紫外光电探测器，集成跨阻放大器，装在 TO-5 金属罐外壳中。
- 0…5V稳定输出电压
- 无需外部放大器
- 辐照度高达 18 W/cm²，可根据要求提供 UVA、-B、-C 版本
磷化镓紫外光电二极管
基于GaP的紫外光电二极管
GUV系列
基于 GaN、AlGaN 和 InGaN 的紫外光电二极管由于高带隙材料、极高的辐照硬度而具有固有的可见盲
GUVV、GVBL、GVGR -> InGaN
GUVA -> GaN
GUVB、GUVC -> AlGaN
带 TIA 的 GUV 系列
基于 GaN、AlGaN 和 InGaN 的紫外光电二极管，集成跨阻放大器，用于超低水平紫外辐射检测。
峰值响应波长：280 nm、320 nm、370 nm、395 nm
GUVV -> InGaN
GUVA -> GaN
GUVB 和 GUVC -> AlGaN
UV-Seonsor 模块
基于氮化镓的紫外传感器模块
- 单电源电压
- 0-5 VDC 输出电压
