奥地利ROITHNER,InGaAs PIN 光电二极管

InGaAs PIN 光电二极管

采用 TO 和 SMD 封装的 InGaAs PD

光谱范围为 600 nm 至 2200 nm，有效区域直径可达 3 mm

低暗电流，高动态阻抗

二维 InGaAs 阵列 320 x 256 像素，近红外高灵敏度，
极低噪声，高动态范围，室温工作
波长范围：900 – 1700 nm，像素宽度：30 μm，响应率 0.8 A/W，量子效率 >70%

零件编号	光谱范围	操作	数组大小	包	注意
FPA320x256-980	0.9 -1.7 微米	98 %	320 x 256 像素	44 针陶瓷 LCC	10 MHz，ARC 风。
FPA320x256-990	0.9 -1.7 微米	99 %	320 x 256 像素	44 针陶瓷 LCC	10 MHz，ARC 风。
FPA320x256-999	0.9 -1.7 微米	99.9 %	320 x 256 像素	44 针陶瓷 LCC	10 MHz，ARC 风。
FPA320x256-100	0.9 -1.7 微米	>99.95 %	320 x 256 像素	44 针陶瓷 LCC	10 MHz，ARC 风。