奥地利Roithner lasertechnik SIC碳化硅紫外光电二极管
SiC具有极高的辐射硬度、近乎完美的可见盲性、低暗电流、高速度和低噪声的独特特性。这些特性使SiC成为用于可见光盲半导体紫外线探测器的最佳材料。SiC探测器可以在高达170°C（338°F）的温度下永久运行。信号的温度系数（响应度）也很低，<-0.1%/K。
由于低噪声（暗电流，在fA范围内），可以可靠地测量非常低的紫外线辐射强度。请注意，此设备需要一个合适的放大器。SiC光电二极管可作为未经滤波的宽带器件或具有仅提供UV-A、UV-B或UV-C灵敏度或红斑作用曲线顺应性的滤光器。
碳化硅紫外光电二极管
基于 SiC（碳化硅）的紫外光电二极管具有以下独特特性
- 极端的辐射硬度，
- 近乎完美的可见失明，
- 低暗电流，
- 高速度和低噪音。
这些 SiC 探测器可在高达 170°C 的温度下永久运行
Roithner lasertechnik带 TIA 的碳化硅紫外光电二极管
在 TO-5 金属罐外壳中集成跨阻放大器的碳化硅 UV 光电探测器。
- 0…5V稳定输出电压
- 无需外部放大器
- 可根据要求提供高达 18 W/cm² 的辐照度和 UVA、-B、-C 版本
