奥地利,Roithner Lasertechnik,SMB1N系列,SMB1N-BB450-02,大功率LED二极管
SMB1N系列
大功率LED，电源芯片技术
芯片尺寸为1 x 1 mm²，安装在耐热聚酰胺（PA9T） SMD封装的铜散热器上，无引线
底座尺寸：5.0 x 5.0 mm
硅胶/环氧树脂模具，平面或透镜
波长：365 nm – 1550 nm可选
-宽带大功率Led
-300 mw @400 – 1000 nm
-InGaN芯片，1000x1000um
-PA9T SMD封装（5.0 × 5..2X5.5mm）
-视角:20°
描述：
SMB1N-BB450-02是一款基于表面贴装InGaN的大功率宽带LED，其典型峰值波长为450 nm，宽带发射波长为400 nm至1000 nm。它采用SMD封装（PA9T），镀银焊垫（无铅可焊），铜散热器和硅树脂模制镜片
最大额定值：
光电特性：
典型性能曲线：
尺寸（mm）:
具体还有其他货号如下：
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奥地利,Roithner Lasertechnik,SMB1N系列,SMB1N-BB450-02,大功率LED二极管
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