奥地利Roithner Lasertechnik GmbH 雪崩光电二极管 Avalanche Photodiodes 硅雪崩光电二极管 APD230-SMD 、InGaAs雪崩光电二极管 APD200-CHIP

2024年11月20日许秀娟18001942024

Avalanche Photodiodes 雪崩光电二极管

Silicon Avalanche Photodiodes硅雪崩光电二极管

小型SMD封装和TO52 can、高灵敏度、低偏置下的高增益、快速响应时间和低噪声，非常适合测距应用、激光雷达

货号	灵敏度	上升时间	敏感区域	封装	注意
APD230-SMD	400 – 1100 nm	0.25 ns	Ø 0.23 mm	3.5 x 3.7 x 1.1 mm²	SMD package
APD500-LCC	850 – 950 nm	0.6 ns	Ø 0.5 mm	LCC6
APD500-TO52F	850 – 950 nm	0.6 ns	Ø 0.5 mm	TO52	905 nm narrowband filter, 13 A/W
APD500-TO52FH	850 – 950 nm	0.6 ns	Ø 0.5 mm	TO52

InGaAs雪崩光电二极管

高灵敏度、低泄漏电流和噪声、快速响应时间和低噪声、低杂散吸收，非常适合测距应用、激光雷达、光谱分析、通信、…

货号	灵敏度	电容	敏感区域	封装	注意
APD200-CHIP	0.95 – 1.65 nm	2.5 pF	Ø 0.2 mm	Chip Die
APD200-LCC	0.95 – 1.65 nm	2.5 pF	Ø 0.2 mm	6CLCC
APD200-TO46	0.95 – 1.65 nm	2.5 pF	Ø 0.2 mm	TO46
APD200-TO46TEC	0.95 – 1.65 nm	2.5 pF	Ø 0.2 mm	TO46	TEC