美国R.D. Mathis SO-32/SO-34/SO-36/SO-38 双层屏蔽 SiO / ZnS 蒸发源|镀膜机用蒸发舟|带挡板盒式蒸发源|R.D. Mathis蒸发舟|进口代理R.D. Mathis
R.D. Mathis SO-32/SO-34/SO-36/SO-38 双层屏蔽 SiO / ZnS 蒸发源
Double Shielded SiO / ZnS Evaporation Source
材料：
- Ta（钽）：加热器及填料孔盖板
- Nb（铌）：下部隔热罩
- Mo（钼）：上部隔热罩
R.D. Mathis SO-32/SO-34/SO-36/SO-38 双层屏蔽 SiO / ZnS 蒸发源规格参数
| 型号 | 电压 | 电流 | 功率 | 温度 | 容量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SO-32 | 1.23 V | 217 A | 267 W | 1200°C | 20 cc |
| SO-34 | 1.27 V | 289 A | 367 W | 1200°C | 40 cc |
| SO-36 | 1.30 V | 373 A | 485 W | 1200°C | 60 cc |
| SO-38 | 1.43 V | 447 A | 640 W | 1200°C | 90 cc |
带挡板的盒式蒸发源
R. D. Mathis 公司的带挡板盒式蒸发源（Baffled Box Source）已被证明可可靠地用于一氧化硅（SiO）的沉积。
这种设计的工作方式是：将源材料分别放置在盒体内部相互分隔的腔体中。
- 加热后，汽化的材料沿着一系列挡板形成的曲折路径间接运动。
- 这种曲折路径能够过滤掉颗粒物，颗粒物随后通过烟囱式排气口排出。
- 在整个薄膜形成过程中，基片始终不会与大量源材料形成直视通路，从而抑制喷溅和流束现象，减少由此产生的针孔类缺陷。
定向沉积与定制
标准蒸发源可提供向上、向下或水平方向的排气口，以实现定向沉积。
根据具体沉积需求，可按照要求定制排气口的位置以及盒体的容量。
一氧化硅和硫化锌应用
如需了解一氧化硅热蒸发技术及其沉积效果，可参考哈尔克斯公司的厄尔·奥尔森与R·D·马西斯共同撰写的论文《采用多挡板盒式蒸发源进行一氧化硅蒸发》。
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