美国R.D. Mathis SO-100/SO-150/SO-200/SO-250/SO-300/SO-500/SO-800//SO-1000/SO-1500/ /SO-2000 大容量 SiO / ZnS 蒸发源|镀膜机用蒸发舟|带挡板盒式蒸发源|R.D. Mathis蒸发舟|进口代理R.D. Mathis
R.D. Mathis SO-100/SO-150/SO-200/SO-250/SO-300/SO-500/SO-800//SO-1000/SO-1500/ /SO-2000 大容量 SiO / ZnS 蒸发源
High Volume SiO / ZnS Sources
High Volume SiO / ZnS Sources
R.D. Mathis 大容量 SiO / ZnS 蒸发源规格参数
| 型号 | 电压 | 电流 | 功率 | 温度 | 容量 |
|---|---|---|---|---|---|
| SO-100 | 3.7 V | 540 A | 1998 W | 1200°C | 100 cc |
| SO-150 | 3.9 V | 620 A | 2418 W | 1200°C | 150 cc |
| SO-200 | 4.1 V | 860 A | 3526 W | 1200°C | 200 cc |
| SO-250 | 4.15 V | 955 A | 3963 W | 1200°C | 250 cc |
| SO-300 | 4.2 V | 1075 A | 4515 W | 1200°C | 300 cc |
| SO-500 | 4.3 V | 1135 A | 4881 W | 1200°C | 500 cc |
| SO-800 | 4.4 V | 1200 A | 5324 W | 1200°C | 800 cc |
| SO-1000 | 4.5 V | 1440 A | 6480 W | 1200°C | 1000 cc |
| SO-1500 | 4.6 V | 1580 A | 7268 W | 1200°C | 1500 cc |
| SO-2000 | 4.8 V | 1620 A | 7776 W | 1200°C | 2000 cc |
带挡板的盒式蒸发源
R. D. Mathis 公司的带挡板盒式蒸发源(Baffled Box Source)已被证明可可靠地用于一氧化硅(SiO)的沉积。
这种设计的工作方式是:将源材料分别放置在盒体内部相互分隔的腔体中。

- 加热后,汽化的材料沿着一系列挡板形成的曲折路径间接运动。
- 这种曲折路径能够过滤掉颗粒物,颗粒物随后通过烟囱式排气口排出。
- 在整个薄膜形成过程中,基片始终不会与大量源材料形成直视通路,从而抑制喷溅和流束现象,减少由此产生的针孔类缺陷。
定向沉积与定制
标准蒸发源可提供向上、向下或水平方向的排气口,以实现定向沉积。
根据具体沉积需求,可按照要求定制排气口的位置以及盒体的容量。
一氧化硅和硫化锌应用
如需了解一氧化硅热蒸发技术及其沉积效果,可参考哈尔克斯公司的厄尔·奥尔森与R·D·马西斯共同撰写的论文《采用多挡板盒式蒸发源进行一氧化硅蒸发》。
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