RCH 炉系统
RCH Associates 的炉子设计旨在实现最佳的温度精度和稳定性。炉体封装在一个整体化、坚固且具有良好热绝缘的机柜结构中，最多可配置 4 根加热元件，便于维护并延长使用寿命。利用我们专有的 ASTRA 控制系统，RCH 炉可为操作员提供最大的精确性和易用性，并配备全面的自动化和数据记录工具，以确保工艺的一致性。大多数 RCH 扩散和 LPCVD 工艺均提供保证的工艺性能标准（晶圆内均匀性、晶圆间均匀性等）。
RCH 拥有数十年的经验，可为多种应用定制各种炉系统，包括：
水平扩散炉（2 至 4 根管，适用于 75-300mm 直径晶圆）
干氧化
干氧化（HCl 增强）
干氧化（DCE 增强）
无氢湿氧化（使用 RCH Steamer™）
灰烬氧化，内置火炬
灰烬氧化，外置火炬
灰烬氧化（HCl 增强）
灰烬氧化（DCE 增强）
DI:H2O 气泡氧化
POCl3 液体源掺杂（磷掺杂）
BBr3 液体源掺杂（硼掺杂）
固体源掺杂
氢气退火/合金化
成形气退火/合金化/烧结
惰性气体或贵气体退火/合金化/烧结
水平 LPCVD 炉（最多 4 根管，适用于 75-200mm 直径晶圆）
本征多晶硅
非晶硅
磷掺杂多晶硅
SiPOS（氧掺杂多晶硅）
氮化硅（Si3N4）
低应力氮化硅
氧氮化物
高温氧化硅（HTO）
低温氧化硅（LTO）
磷硼硅玻璃（PSG）
硼磷硅玻璃（BPSG）
四乙氧基硅烷（TEOS）
掺杂 TEOS
真空退火系统（快速冷却，适用于 100-150mm 晶圆）
RCH Associates 设计的 VAF 炉系统用于对对残余氧敏感的基板薄膜（如难熔金属和复合金属）进行退火、合金化或烧结。
该系统包括一个沿主真空工艺腔外部移动的加热元件。
这一独特设计允许在真空状态下快速加热和冷却工艺腔。
小批量系统（适用于 50-200mm 直径晶圆）
适用于 50-150mm 晶圆的台式炉
适用于 150-200mm 晶圆的台式炉
独立式单管或双管 RCH 炉，适用于 50-150mm 晶圆
RCH 炉系统设计特点
炉体机柜
整体化结构钢组装
带铰链、锁定且可拆卸的加热元件检修门
具有热绝缘的外壳面板
高温聚氨酯涂层
易于调节的加热元件支撑装置
机柜过温联锁传感器
调平支脚及可选抗震支架
有毒气体排放装置（Toxic Gas Scavenger）
不锈钢材质
排放来自工艺管或工艺腔的废气和热量
每根管道级可独立调节排气抽吸量
每管级可采用悬臂式封闭或手动门封闭
LPCVD 法兰及气体管路安装方案
差压表用于监控排气抽吸量
风冷-水冷换热器（Air-To-Water Heat Exchanger）
用于排出炉体顶部的热空气
控制炉房的暖通空调（HVAC）
水冷高效散热器
导流挡板将空气引导通过炉体
排气风扇模块用于空气抽排
高性能加热元件（High Performance Heating Elements）
可选温度范围：350°C 至 1350°C
600-1350°C 温区，温度公差 ±0.5°C
350-600°C 温区，温度公差 ±1.0°C
真空成型高纯度氧化铝绝缘
不锈钢护罩
螺旋绕组，带固定间距
每区温控及过温热电偶（TC）监控
封闭式热电偶导线槽
热电偶固定和校正夹
能量套件（Energy Kits）
高纯度氧化铝前室块（vestibule blocks）
NEXTEL 软护圈
不锈钢固定环、板和护圈
4 层水平 LPCVD 炉（适用于 200mm 晶圆）
3 层真空退火炉（适用于 150mm 晶圆）
2 层水平扩散炉（适用于 300mm 晶圆）
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