产品概述
从背面照射红外光，透过硅晶圆检测键合质量。可识别未键合区域、空洞和缺陷，抽屉式设计适配任何晶圆尺寸。
本产品属于idonus晶圆键合设备系列，采用高精度精密定位平台实现微米级对准精度下的芯片到芯片(Chip-to-Chip)键合。支持共晶键合、热压键合和胶粘键合等多种工艺。
键合设备的精密定位系统结合双像显微镜的对准验证功能，确保键合后器件的对准精度满足工艺要求。模块化设计支持不同尺寸芯片和晶圆的键合需求。
应用领域
晶圆检测
红外显微镜穿透硅晶圆，实现不破坏封装的内部结构检测。
键合质量检查
检测晶圆键合界面的缺陷、空洞和未键合区域。
对准精度验证
测量键合后上下晶圆的对准偏差，确保套刻精度达标。
工艺监控
在微加工各工序之间进行非破坏性检测，监控工艺质量。
技术原理
idonus MEMS检测设备主要基于红外显微成像技术。硅材料在近红外波段（>1100nm）具有半透明特性，因此使用红外光源和InGaAs或CCD红外相机，可以穿透硅晶圆观察到其内部和背面的结构。
双像显微镜(DIM)通过两个独立光路同时成像晶圆正面和背面，实现三维对准和检测。这对于晶圆键合后的对准精度验证特别重要——操作者可以同时看到上下晶圆的对准标记，直观判断偏差。
红外显微镜(IR-M)配备高分辨率红外光学系统，可在不同放大倍率下观察键合界面、通孔(TSV)和内部微结构。结合图像分析软件，可自动识别和量化缺陷。
技术规格
| 检测原理 | IR 背面照明 + 透射成像 |
| 晶圆尺寸 | 可适配任意尺寸（抽屉式） |
| 检测内容 | 键合质量/未键合区域/空洞/干涉条纹 |
| 应用 | 融合键合/阳极键合/预结构化晶圆 |
产品优势
非破坏性检测
红外穿透成像无需切割或破坏样品，实现100%全检。
内部结构可视化
穿透硅晶圆观察内部结构，发现传统光学显微镜无法检测的缺陷。
高分辨率成像
专业红外光学系统提供微米级分辨率的内部结构图像。
自动化分析
图像分析软件自动识别缺陷和对准偏差，提高检测效率。
适用场景与选型建议
- 特定微加工需求✓ 本产品针对特定工艺需求进行了专项设计
- 定制化需求→ idonus工程团队可提供定制解决方案
