应用：金属单晶是基础研究（表面物理、催化化学、材料性能研究等）、单色仪（X射线、中子等）和电子（W针、LaB6、CeB6等）所必需的。
特性：我们的晶体质量以特别高的镶嵌性为特征。在表面应用过程中，将特别强调晶体方向的取向精度（取向精度）。
特别仔细的表面处理（抛光）允许在低热量和溅射循环后直接研究高达几个1000nm的核平台。
元素的镶嵌性：镶嵌性描述了晶体完美结构的偏差。它是描述反射X射线射流的偏差和理想反射角度的角度规范。
小角度代表完美的晶体结构。
定位精度：高达<0.05°
抛光：粗糙度<1nm（也适用于Au或Pb等软元素）
金属单晶的生产是在大多数具有最高质量要求的现代化设备中进行的。
对于使用Bridgman、Czochralski和区域熔化技术的晶体生长，只使用最高纯度的起始材料。
| Metal single crystal | Purity | Information |
|---|---|---|
| Aluminium – Al | 6N | |
| Antimony – Sb | 6N2 | |
| Bismuth – Bi | 5N | |
| Cadmium – Cd | 5N | |
| Chromium – Cr | 5N | |
| Cobalt – Co | 4N | |
| Copper – Cu | 5N | |
| Dysprosium – Dy | 3N5 | |
| Gadolinium – Gd | 4N | |
| Germanium – Ge | 6N | |
| Gold – Au | 5N | |
| Hafnium – Hf | 4N ex Zr | |
| Holmium – Ho | 3N5 | |
| Indium – In | 6N | |
| Iridium – Ir | 4N | |
| Iron – Fe | 4N | |
| Lead – Pb | 5N | |
| Lithium – Li | 2N8 | |
| Magnesium – Mg | 5N | |
| Molybdenum – Mo | 4N | |
| Nickel – Ni | 4N | |
| Niobium – Nb | 4N | |
| Palladium – Pd | 5N | |
| Platinum – Pt | 4N | |
| Rhenium – Re | 4N | |
| Rhodium – Rh | 4N | |
| Ruthenium – Ru | 4N | |
| Silicon – Si | 5N | |
| Silver – Ag | 5N | |
| Tantalum – Ta | 4N | |
| Tellurium – Te | 6N | |
| Tin – Sn | 6N | |
| Titanium* – Ti | 4N | |
| Tungsten – W | 5N | |
| Vanadium – V | 4N | |
| Yttrium – Y | 3N5 | |
| Zinc – Zn | 6N | |
| Zirconium – Zr | 4N ex Hf* |
*晶体尺寸限制在几毫米以内
以下合金可用：Cu2Ce、CuAu、Cu3Au、Cu3Pd、Cu3Pt、Cu75Mn25、CuNi、CoAl、CoGa、FeAl、FeCr、Fe85Cr15、Fe64Ni36、Fe80Ni20、Nb90W10、NiAl、Ni3Al、Ni3Al（+Fe）、NiFe、Pd97Ni3、Pt7Ni、Pt75Ni25、Pt48Ni52、Pt3Cu、PtCo3、Pt3Cr、Pt10Pd90、PtPd、Pt90Pd10、PtRh、Pt80Rh20、Pt90Rh10、Pt95Rh5、TbCu2、V3 Si、W99Re1、HfC、TaC、ZrC、NbC、MoC、TiC、VC、Ag10Zn、Bi2Te3、Co50Ga50、Cu91Al9、Cu75Pd25、Cu75Pt25、Cu70Zn30、Fe98Al2、Fe85Al15、Fe53Al47、Fe85Cr15、Fe86Cr14、Fe82,5Cr17,5、Fe80Cr20、Fe77,5Cr22,5、Fe75Cr25、FeCr16Ni10Mn2Mo2、FeCr17Ni12Mo3、Fe96Ni4、LaB6、NbSi2、NiAl、Ni3Al、Ni85 Cr15、Ni80Fe20、Ni70Fe30、Ni3Pt、Pd70Au30、Pd3Au、Pd1Ag、Pd3Zr、Pt3Co、Pt3Ni、PtPd、Pt3Ti、Pt50Rh50、SmCo5、Si50Mn50、Ti50Al50、TiC、VO、W2Re、W4Re、ZrC。
定位和抛光
为上述晶体提供的标准取向适用于立方晶系（001）、（110）和（111），适用于六方晶系（0001）、（10-10）和（11-20）。当然，也可以产生诸如（117）、（221）或（112）的其他取向。切割晶体取向的标准精度在<2°以内。通过表面抛光，可以实现<0.1°的精度。不同晶体的抛光过程非常缓慢，可能的话采用化学机械抛光。获得了优于<0.03µm的表面粗糙度。基于这种抛光，可以通过几个溅射和加热循环或火焰退火来制备原子级光滑的表面。（特高压表面处理的配方可应要求提供）。给定小于0.1°的定向精度，可实现数千埃的阶地宽度。
晶体几何形状
金属单晶通常被拉成棒状。根据金属的不同，棒直径可以设置为几毫米到100毫米之间的值。这些棒可以作为原始晶体供应，而无需进一步成型或切割成圆盘。标准圆盘厚度为1mm。根据要求提供更厚或更薄的光盘。晶体几何形状根据客户的规格通过火花侵蚀成型。特殊的几何形状、凹槽、孔和参考面（例如，指示第二个方向）是可能的，没有问题。下面列出了一些常见的例子。对于水晶报价或订单，只需填写您想要的尺寸并将这些图纸发送给我们。-如果您的设计不包括在内，请将您的图纸或手绘草图传真给我们。
“Hat form” with indication of second orientation:
Circular groove, reference face to mark a second orientation and hole for a thermocouple:
Holes for keeping crystal in place:
