磁控管源，用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。适用于直径为 3 英寸的目标。
根据溅射工艺所需的条件，我们提供2种类型的光源：B型和C型。
所有类型都与我们的 M600DC-PS 电源以及市场上所有其他直流、射频和脉冲直流电源完全兼容。
源类型B
B型磁控管源用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。该源与 UHV 条件兼容。磁控管源设计用于溅射磁性和铁磁材料。它可以在厚达 7 毫米的目标上运行。
| 安装法兰 | DN 160 CF* |
| 最大功率（直流模式） | 600 W 直流 ** |
| 最大功率（射频模式） | 600 W 射频 ** |
| 最大电压直流 | 1200 V |
| 直流/射频连接器 | 类型 7/16 |
| 目标 | |
| 形式 | 戒指 |
| 直径 | 3英寸（76.2毫米）±0.2毫米 |
| 厚度 | 1 – 7 毫米（磁性和非磁性） |
| 冷却 | 间接 |
| 㳁 | 最小 1 升/分钟 |
| 最高进水温度 | < 28 °C |
| 最大水压 | 3 巴 |
| 油管直径 | 直径6×1毫米聚四氟乙烯 |
| 磁铁材料 | 钐钴 |
| 磁铁最高温度 | 350°C |
| 内部气动快门 | 是的 |
| 快门类型 | 圆顶型或平摆 |
| 原位倾斜模块 | 是，范围 +45° ÷ -10° |
| 烟囱 | 是的 |
| 专用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 铜 | 18，72 纳米/分钟（距离：170 毫米;靶材厚度：3 毫米）*** |
| 钛 | 4，10 纳米/分钟（距离：170 毫米;靶材厚度：3 毫米）*** |
| 铁 | 5，16 纳米/分钟（距离：170 毫米;目标厚度：3 毫米）*** |
| 内部进气口 | 是（录像机标准） |
| 工作气体 | 阿尔 |
| 最大工作压力 | 5×10日-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作压力 | 5×10日-3– 5×10-2毫巴 |
* 可根据要求提供
其他安装法兰 ** 最大功率由目标材料
决定 *** 距离取决于腔室和磁控管的几何形状
源类型C
C型磁控溅射源与RF和DC兼容，可以沉积许多类别的材料：导体，半导体和绝缘体。磁控管源能够创建均匀、均匀和小颗粒的薄膜;具有高密度（低空隙面积）、高镜面反射率（反射率）、无辐射损伤和断裂键等优点。
| 安装法兰 | DN 160 CF* |
| 最大功率（直流模式） | 600 W 直流 ** |
| 最大功率（射频模式） | 600 W 射频 ** |
| 最大电压直流 | 1200 V |
| 直流/射频连接器 | 类型 7/16 |
| 目标 | 守门员标准 |
| 形式 | 循环 |
| 直径 | 3英寸（76.2毫米）±0.2毫米 |
| 厚度 | 1 – 6 毫米 |
| 冷却 | 间接 |
| 㳁 | 最小 1 升/分钟 |
| 最高进水温度 | < 28 °C |
| 最大水压 | 3 巴 |
| 油管直径 | 直径6×1毫米聚四氟乙烯 |
| 磁铁材料 | 硼化钕铁（钕铁硼） |
| 磁铁最高温度 | 200 °C |
| 内部气动快门 | 是的 |
| 快门类型 | 圆顶型或平摆 |
| 原位倾斜模块 | 是，范围 +45° ÷ -10° |
| 烟囱 | 是的 |
| 专用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 铜 | 19，76 纳米/分钟（距离：150 毫米;靶材厚度：3 毫米）*** |
| 钛 | 4，08 纳米/分钟（距离：150 毫米;靶材厚度：6 毫米）*** 4，32 纳米/分钟（距离：150 毫米;靶材厚度：3 毫米）*** |
| 内部进气口 | 是（录像机标准） |
| 工作气体 | 阿尔 |
| 最大工作压力 | 5×10日-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作压力 | 5×10日-3– 5×10-2毫巴 |
* 可根据要求提供
其他安装法兰 ** 最大功率由目标材料
决定 *** 距离取决于腔室和磁控管的几何形状
特征：
- 带或不带原位倾斜模块
- 安装法兰范围
- 标配烟囱
- 气动圆顶式或侧摆式快门
- 间接冷却
选项：
