Prevac 磁控溅射系统是一款操作简便、功能完备的溅射沉积装置，专为实现重复性优良的薄膜镀层而设计。采用紧凑的“即插即用”式结构，开箱即可投入工作。
工艺腔体配有3个磁控溅射源接口（适用于金属与无机材料），采用向下溅射的安装构型。最多可同时使用两个溅射源进行共沉积。样品台适用于直径不超过2英寸的基片，并可选配加热与旋转功能。
Prevac磁控溅射系统主要特征：
即插即用式结构
操作简便的移动式单元，可快速开展测试与镀膜溅射作业
配备大尺寸真空舱门的工艺腔体，便于更换靶材或基片
搭载 MS2 100 ISO-K 型磁控溅射源与全新 M600DC-PS 直流电源
样品载台适配最大直径 2 英寸的试样
工艺腔体直径：Ø 355 毫米
预留 3 个 2 英寸磁控溅射源接口
1 个带遮光板的观测视窗
防交叉污染防护挡板
极限真空度范围：10⁻⁷毫巴
带真空规管的快速抽气系统
采用质量流量控制器实现氩气自动定量供气
带脚轮的刚性主机架，便于设备移动部署
手动节流阀
快速抽气系统（配手动节流阀）结合小容积工艺腔体，可在短时间内达到本底真空度。
工艺腔体配备高真空 (HV) 标准连接法兰，用于连接现有及后续扩展设备，包括：
最多 3 个 2 英寸磁控溅射源
基片操纵器 / 基片传输机构
抽气系统
防交叉污染防护挡板
石英微量天平
带遮光板的观测视窗
真空规管
高温计
应用领域与材料示例
| 应用领域 | 具体用途 | 示例材料 |
|---|---|---|
| 导体与电极 | 微电子与半导体器件中的单层/多层导电膜 | Al, Mo, Mo/Au, Ta, Ta/Au |
| 扩散阻挡层 | 半导体金属化工艺中的扩散阻挡层 | TiN, W-Ti |
| 磁性薄膜 | 磁性存储、传感器等功能薄膜 | Fe, Co, Ni, Fe-Al-Si, Co-Nb-Zr, Co-Cr, Fe-Ni-Cr, Fe-Si, Co-Ni-Cr, Co-Ni-Si |
| 光学涂层（金属） | 高反射率金属膜 | Cr, Al, Ag |
| 光学涂层（介质） | 减反、增透等介质膜 | MgO, TiO₂, ZrO₂ |
| 光掩模 | 光刻用掩模版 | Cr, Mo, W |
| 透明阻隔层 | 气体/水汽渗透阻挡膜 | Al₂O₃ |
| 透明导电层 | 显示器、触摸屏等透明电极 | InO₂, SnO₂, In-Sn-O (ITO) |
