PREVAC 分子束外延系统 MBE系统 RHEED 或 TorrRHEED 系统可选 薄膜的外延生长 单晶薄膜沉积

标准 MBE 系统

PREVAC 的标准分子束外延MBE系统为独立式配置,包括一个沉积工艺腔体以及一个用于便捷快速加载样品的负载锁腔体。该系统适用于 III-V、II-VI 族元素的外延生长,以及其它异质结构材料的研究。

系统提供可更换底法兰的设计。整个底法兰可通过专用设计的小车轻松更换,从而支持多种源配置,满足不同科研需求。


特点

  • 通用型解决方案,适用于大多数 MBE 外延生长工艺研究需求

  • 适用于 III/V 族、II/VI 族元素及其他异质结构材料的外延生长

  • 可安装 多达 10 个蒸发源(DN 63CF 接口),配备相应电源

  • 带阀裂解源,带电源

  • 高功率电子枪(e-gun),配电源

  • 1 至 4 轴 电动或手动样品操控器,接收站可加热最高 1400°C(采用耐用的固体 SiC 加热元件)

  • 可支持的基片尺寸:从 10×10 mm 到 4 英寸

  • 系统基压范围:5×10⁻¹⁰ 到 5×10⁻¹¹ mbar

  • 工艺腔体直径可选:Ø 300 mm 或 Ø 450 mm,带可更换底法兰(例如,Ø 450 mm 腔体可配置多达 10 个 DN 63CF 蒸发源接口

  • 真空泵系统前级泵 + 涡轮分子泵(TMP)+ 离子泵 + 钛升华泵(TSP)

  • 石英晶体薄膜监测器(带 Z 向操作器),可实现在聚焦点的沉积速率和厚度测量

  • RHEEDTorrRHEED 系统可选

  • 每个蒸发源口(63CF)配独立遮光挡板

  • 带快速线性传输机构的 负载锁腔体,便于样品从负载锁传送至主腔体

  • 腔体内部设有热防护挡板

  • 装配真空规测量系统

  • 可视窗(带遮光装置)

  • 冷却系统,带预烘烤前气体吹扫功能

  • 烘烤系统

  • 系统结构采用可调刚性主框架

  • 所有电气组件装入 19 英寸标准控制柜

附加功能与配置选项

  • 附加样品存储腔体

  • 电动或手动快门(可随基片移动),用于实现台阶层或掩膜沉积

  • 交叉污染防护挡板

  • 真空手提箱(运输盒),带有与装载锁腔连接的接口

  • 附加气体引入系统,例如用于反应性沉积工艺

  • 残余气体分析仪(RGA)

  • 束流通量监测器(Beam Flux Monitor)

  • 加热观察窗,用于诊断设备

  • 红外高温计(Pyrometer)

  • 通过 PLC 控制单元和 Synthesium 软件实现对沉积过程与设备的全面控制

[caption id=”attachment_1286″ align=”alignnone” width=”300″] Mini MBE系统 [/caption]

高级MBE系统

iMBE系统

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