PREVAC标准型分子束外延系统，标准型 MBE 系统

PREVAC 独立式分子束外延系统集成沉积工艺腔体与预真空锁腔，可便捷、快速地完成基片装载。该系统适用于 III‑V 族、II‑VI 族化合物及其他各类异质结等材料的外延生长，应用场景丰富。

PREVAC标准型分子束外延系统提供底部法兰可更换的设计方案：借助专用转运台车即可轻松完成整块法兰的替换，从而为您的科研工作提供多种蒸发源配置与功能选配的灵活实现方案。

PREVAC标准型分子束外延系统主要特征
适用于分子束外延生长领域绝大多数科研需求的通用解决方案
适用于 III‑V 族、II‑VI 族化合物及其他异质结材料的外延生长
最多 10 个蒸发源，配备 DN 63CF 法兰接口及对应电源
带电源的阀控裂解源
带电源的大功率电子枪
1–4 轴电动 / 手动样品操纵台（含接收台），最高加热温度可达 1400℃，采用固态碳化硅 (SiC) 长寿命高性能加热元件
基片支架尺寸范围：10×10 毫米至 4 英寸
本底真空范围：5×10⁻¹⁰ ~ 5×10⁻¹¹ 毫巴
工艺腔体直径：Ø300 或 Ø450 毫米，配备可更换底部法兰（例如 Ø450 腔体最多可集成 10 个 DN 63CF 蒸发源接口）
抽气系统（由前级泵、涡轮分子泵、离子泵及钛升华泵组成）
石英晶体微量天平，用于沉积速率测量与膜厚监控，带 Z 轴操纵台实现焦点位置速率检测
成套反射高能电子衍射仪 / 宽量程反射高能电子衍射仪
63CF 法兰接口配备独立附加遮挡板
用于装载样品支架的预真空锁腔
预真空锁腔至工艺腔体的可靠快速直线传输系统
内置防护挡板
成套真空规管及附件
带遮光板的观测视窗
烘烤前带集成排空管路的冷却系统
腔体烘烤系统
可调节刚性设备主机架
内置电控单元的 19 英寸标准机柜

PREVAC标准型分子束外延系统工艺腔体可配置10 个蒸发源接口，样品载台最大适配4 英寸直径基片，支持加热与旋转功能选配。沉积工艺可在液氮温度至 1400℃的宽温区内调控，全程通过PLC 可编程逻辑控制器实现软件全编程与自动化控制。
工艺腔体配备超高真空 (UHV) 标准连接法兰，可接入现有及后续扩展设备，包括：
最多 10 个 DN 63CF 法兰源炉（高温 / 低温、单灯丝 / 多灯丝可选）
DN 63CF 法兰独立遮挡板
带电源的阀控裂解源
带电源的大功率电子枪
温区覆盖液氮温度至 1400℃的样品操纵台
抽气系统（由前级泵、涡轮分子泵、离子泵及钛升华泵组成）
成套真空规管及配套组件
直线传输系统接入端口，可对接预真空锁腔、径向分配腔、传输通道或传输箱
带 Z 轴操纵台的石英晶体微量天平
成套反射高能电子衍射仪 / 宽量程反射高能电子衍射仪
随基片同步动作的电动 / 手动遮挡板，用于邻晶面外延层或掩膜沉积
附加气体定量系统，适用于反应沉积等工艺
带遮光板的观测视窗
残余气体分析仪
束流监测仪
供诊断设备使用的加热视窗

设备最终设计与功能取决于具体配置方案。
PREVAC标准型分子束外延系统采用模块化设计，可根据需求通过径向分配传输方案或传输通道，与其他任意科研平台组合集成。
抽气系统搭配标准容积工艺腔体，可实现5×10⁻¹⁰ ~ 5×10⁻¹¹ 毫巴的本底真空，具体取决于泵组配置。抽气系统由多种泵体组合而成，例如前级真空泵、离子泵、低温泵、涡轮分子泵、钛升华泵等，可根据具体应用需求单独选型，以获得最优抽气性能。
Synthesium 工艺控制软件可兼容集成不同类型、不同厂商的源炉设备，实现完美协同；支持便捷编写工艺配方、自动化生长控制与海量数据记录。软件基于Tango 开源设备协议，可扩展集成新增部件。
系统配置先进易用的电源及电控装置，用于控制各类源炉及整套配套科研仪器设备。