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标准 MS 系统

磁控溅射系统的独立配置与我们经过现场验证的标准解决方案相结合,使沉积工艺变得简单、高效和可靠。 

根据您的需求,我们的标准 MS 系统可在单个腔室中灵活地使用多种溅射沉积技术。每个系统都有一个通用安装法兰,可配置为磁控溅射沉积(使用溅射或溅射配置)或任何其他薄膜沉积技术的组合。这使得PREVAC标准MS系统成为一个多功能、强大和简单的装置,可以满足表面科学涂层领域的大多数需求。 

特征

  • 独立的 HV/UHV 系统,包括用于溅射工艺的高质量和高可用性解决方案
  • 非常适合沉积金属和介电薄膜
  • 工艺腔室的标准尺寸:Ø 570 mm
  • 主室源端口配置示例:6 个 DN100CF 端口,用于 2 英寸磁控管或 10 个 DN63CF(5 个磁控管同时工作),或 5 个 DN 160 ISO-K 端口,用于 3 英寸磁控管
  • 极限压力范围 10-7mbar 到 UHV
  • 2 轴机械手,带有由固体 SiC 制成的稳定、长寿命的加热元件和接收站,可实现高达 1200 °C 的高温 
  • 各种基板支架尺寸(从 10×10 mm 到 6 英寸,可根据要求提供其他尺寸)和形状
  • 提供溅射和溅射布置
  • 在 DCRF 和脉冲 DC 模式下运行
  • 通过质量流量控制实现 Ar 气体自动加注 
  • 可以使用原位表征工具,例如等离子体发射监测器 (PEM)、椭偏仪、反射仪、石英天平或高温计温度测量系统
  • 多个源由单个电源开关网络提供,或由多个电源提供用于共沉积处理
  • 前门通道和/或负载锁定室,用于快速且简单的基板加载
  • 带源的底部法兰可以使用专用的升降小车完全访问或更换
  • 电子单元的 19 英寸机柜
  • Synthesium 软件用于完全控制沉积过程和设备

描述

该系统的主要优点之一是易于进入工艺室,这可以通过前门自动抬起顶部法兰或通过底部法兰完成,可以使用专门设计的手推车进行更换。因此,可以轻松快速地更换磁控管靶材、衬底支架机械手或访问/更换整个底部法兰。顶部法兰的升降机构是电动的,并由传感器提供全面保护。 

最终的设计和功能取决于系统配置。 

该系统配置了适当的密封和泵送系统,以实现 10 范围内的基本真空-7mbar(带氟橡胶密封门),5×10-8 mbar(带氟橡胶密封和差动泵送门)或 UHV 压力(无门,带快速进入负载锁以引入衬底)。 

工艺腔体配有不同尺寸的 UHV 标准连接法兰,用于连接当前和未来的设备,包括: 

  • 磁控管源 / 
  • 衬底机械手 / 
  • 用于清洁、蚀刻或活化基板表面的离子源 
  • 抽水系统 / 
  • 线性传输系统运输箱的入口, 
  • 气体加注系统:工艺气体多达 4 条管路,质量流量控制多达 4 种气体, 
  • 电动或手动快门(跟随基材),用于邻近层或掩模
  • 残余气体分析仪 /
  • 石英天平 /
  • 高温计 /
  • 探测器的椭偏仪 /
  • viewports (带百叶窗的观察窗口),
  • 真空计。

泵送系统是不同类型泵的组合,例如前级真空泵离子泵、低温泵、涡轮分子泵或钛升华泵,根据特定应用需求单独选择以实现最佳泵送性能。 

如果需要,系统的模块化设计允许通过径向分布传输解决方案或传输隧道与任何其他研究平台进行组合和集成。 

Synthesium 过程控制软件允许各种类型和制造商的来源进行集成和完美合作,并实现轻松的配方编写、自动生长控制和广泛的数据记录。允许基于 Tango 开源设备集成新的附加组件

该系统配备了先进、易于使用的电源电子设备,用于控制和支持离子源和整个包含的研究设备。

选项

  • 高温计 – 数字高温计用于大范围的非接触式点状温度测量,
  • 椭偏仪 – 分析反射光以确定电介质、半导体和金属薄膜的厚度和折射率。它使用以低入射角从胶片反射的光,
  • 反射计 – 一种非侵入式工具,用于通过光谱反射系统快速、实时地测量沉积速率、薄膜厚度、层均匀性和光学常数,
  • 等离子体发射监测器 (PEM) – 用于实时等离子体监测而不影响其的光学发射光谱技术,
  • 水冷护罩 – 作为选项,暗室可以配备 H2O 护罩 当需要降低组件/过程温度时,
  • 屏蔽保护,防止交叉污染
  • 电动手动快门(跟随基材),用于邻近层或掩模
  • 额外的气体计量,例如用于反应溅射工艺
  • 用于诊断设备的加热视口
  • 机械手的 RF BIAS
  • 手套箱

应用

应用例子
单层和多层导体薄膜(用于微电子和半导体器件) 铝、钼、钼/金、钽、钽/金 
用于半导体金属化的阻挡层 钛、W-钛 
磁性薄膜 铁、钴、镍、铁铝硅、钴铌铌锆锌、钴铬、铁镍铬、铁硅、钴镍铬、钴镍硅 
光学镀膜 – 金属(反射) 铬、铝、银 
光学镀膜 – 电介质 氧化镁、钛2、ZrO2 
光掩模 铬、钼、钨 
透明的气体/蒸汽渗透屏障 2O3 
透明电导体 惯置物2、 SnO2,In-SN-O (ITO) 

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