半工业 MS 系统
半生产型 HV 系统，用于快速和可重复的薄层应用过程，并提供最大程度的自动化作支持。
工艺腔室设计允许结合多种沉积技术，其中包括：DC/RF 磁控溅射、反应溅射和使用电子束的蒸发。电子柜配有配备大型触摸屏和用户友好型软件的集成计算机，将使基材的涂层过程顺利而轻松。
特征
- 用于半生产涂层的自动化 HV 装置
- 非常适合沉积金属和介电薄膜
- 工艺腔室标准尺寸：Ø 570 mm
- 源配置：2 x 3“ 磁控管和 6 口袋电子束蒸发器（可提供其他配置）
- 极限压力范围< 3×10-7毫巴
- 2 轴机械手，带有稳定、长寿命的加热器元件，可实现高达 300 °C 的高温
- 各种基板支架尺寸（从 10×10 mm 到 6 英寸，可根据要求提供其他尺寸）和形状
- 磁控管源的溅射上和溅射下装置可用
- 在 DC、RF 和脉冲 DC 模式下运行
- 通过质量流量控制实现 Ar 气体自动加注
- 可以使用原位表征工具，例如等离子体发射监测器 （PEM）、椭偏仪、反射仪、石英天平或高温计温度测量系统
- 通过单个电源和开关网络提供多个源，或由多个电源提供用于共沉积处理
- 前门通道可快速轻松地装载基板
- 19 英寸机柜，配备先进的电子单元和先进的人机界面 （HMI） 设备，用于硬件轻松控制和监控过程
- 带轮子的刚性主机架便于放置系统
描述
为方便用户，主室可通过前门进入，因此可以轻松更改磁控管靶材、基板或维修/清洁腔室内部。主腔室由不锈钢制成，可承受 <3*10 的极限压力范围-7mbar 的它标配两个 3 英寸磁控管源（DC、RF）和一个 6 腔电子束蒸发器。可旋转的机械手能够作最大 6 英寸的样品架。
该软件主要针对：
- 对沉积系统的完全控制，
- 自动、手动和可编程定时器，可实现有效的快门控制，
- 图形化系统状态表示，
- 进程创建者和控制器，
- 快速、实时的数据预览，
- 实时数据采集（与 LIMS 数据采集系统集成）。
该系统配备了先进、易于使用的电源和电子设备，用于控制和支持离子源和整个包含的研究设备。
选项
提供用于简化溅射工艺的辅助设备范围：
- 高温计 – 数字高温计用于大范围的非接触式点状温度测量，
- 椭偏仪 – 分析反射光以确定电介质、半导体和金属薄膜的厚度和折射率。它使用以低入射角从胶片反射的光，
- 反射计 – 非侵入式工具，用于通过光谱反射系统快速、实时测量沉积速率、薄膜厚度、层均匀性、光学常数，
- 等离子体发射监测器 （PEM） – 用于实时等离子体监测而不影响其的光学发射光谱技术，
- 水冷护罩 – 作为选项，当需要降低组件/工艺温度时，腔室可以配备 H2O 护罩，
- 屏蔽保护，防止交叉污染，
- 电动快门（跟随基板）用于厚度梯度的溅射沉积，
- 额外的气体计量，例如用于反应溅射工艺，
- 用于诊断的加热视口，
- 手套箱。
应用
| 应用 | 例子 |
| 单层和多层导体薄膜（用于微电子和半导体器件） | 铝、钼、钼/金、钽、钽/金 |
| 用于半导体金属化的阻挡层 | 钛、W-钛 |
| 磁性薄膜 | 铁、钴、镍、铁铝硅、钴铌铌锆锌、钴铬、铁镍铬、铁硅、钴镍铬、钴镍硅 |
| 光学镀膜 – 金属（反射） | 铬、铝、银 |
| 光学镀膜 – 电介质 | 氧化镁、钛2、ZrO2 |
| 光掩模 | 铬、钼、钨 |
| 透明的气体/蒸汽渗透屏障 | 铝2O3 |
| 透明电导体 | 惯置物2、 SnO2，In-SN-O （ITO） |
