微型 MBE 系统
一种简单且功能齐全的 Mini MBE 系统用于薄层的外延生长。即插即用的紧凑设计。
如果您需要高质量的沉积工艺，并结合低运行成本的设计和小尺寸的设备，那么这就是答案。该装置非常适合在研发装置中快速测试新材料和技术。
分子束外延系统适用于来自 III/V、II/VI 族以及其他异质结构等的元素的生长。
特征
- 即插即用结构
- 经济的解决方案，专为空间有限的实验室而设计
- 适合 III/V、II/VI 族元素以及其他异质结构的生长
- 多达 8 个蒸发源 DN 40CF 端口，带电源
- 具有高精度温度控制的 4 轴电动或手动机械手：电阻加热高达 1000°C，EB 加热高达 1400°C，水或 LN2冷却（可根据要求提供更简单的机械手）
- 适用于 Flag 型底物/样品架
- LN 的极限压力2护罩： <2×10-10毫巴
- 小工艺腔 Ø 250 mm，带可更换的下法兰
- 泵送系统（基于前级泵、TMP、离子泵和TSP）
- 用于沉积速率测量和厚度监测器的石英天平，带有 Z 机械手，用于测量焦点的速率
- RHEED/TorrRHEED 带设备
- 40CF 端口上的附加独立快门
- 用于单个样品架的装载锁室或用于 6 或 12 个 Flag 型基板支架的转盘（作为存储）
- 可靠、快速的线性传输系统，从负载锁到工艺室
- 带设备的真空计
- Viewports – 带百叶窗的观察窗
- 烘烤前带有集成吹扫管路的冷却系统
- Bakeout 系统
- 可调节的刚性主机架，带有大轮子，便于放置系统
- 带电子单元的 19 英寸机柜
描述
该处理室包含8个用于蒸发源的端口，而基板阶段适用于10×10毫米的样品，具有加热和旋转选项。
沉积过程可以在很宽的温度范围内进行控制（从 LN2高达 1400°C），并且可以完全通过 PLC 控制器进行软件编程和控制。
工艺腔室配有 UHV 标准的连接法兰，用于连接当前和未来的设备，包括：
- 最多 8 个带法兰 DN40CF 的渗出池（高温或低温，单丝或多丝），
- 温度范围 （LN 起）2高达 1400°C）、
- 泵送系统（基于前级泵、TMP、离子泵和TSP），
- 带设备的真空计，
- 用于线性传输系统或运输箱的入口，
- 石英天平、带 Z 机械手的厚度监测器、
- RHEED/TorrRHEED 与设备，
- 电动或手动快门（跟随基材），用于邻近层或掩模，
- 额外的气体剂量，例如。对于反应沉积过程，
- viewports – 带百叶窗的观察窗，
- 残余气体分析仪 /
- 诊断设备的加热视口。
最终的设计和功能取决于系统配置。
泵送系统与小体积工艺腔相结合，可在短时间内达到极限压力，其中极限压力保证低于 5×10-10mbar 的
该系统配备了先进、易于使用的电源和电子设备，用于控制和支持离子源和整个包含的研究设备。
选项
- 电动或手动快门（跟随基材），用于邻近图层或掩模
- 防止交叉污染的防护罩
- 真空手提箱（运输箱），在负载锁室中带端口
- 额外的气体计量，例如。用于反应沉积工艺
- 残余气体分析仪
- 诊断设备的加热视窗
- 高温计
- 通过PLC单元和Synthesium软件完全控制沉积过程和设备
应用
| 应用 | 来源 | |||
| 积液细胞 | 电子束蒸发器 | 带阀裂解器源 | 升华源 | |
| 金属 | 铝、钴、镍、铜 （等） | 钼、钯、钽、钨、铂 | ||
| III/V 组 | 铍、铝、镓、铟 | 磷、砷、锑 | 碳、硅掺杂 | |
| 第 II/VI 组 | 铍、锌、镉 | 硫、硒、碲 | ||
| 第四组 | 锗、锡、铅 | 硅、锗 | 硼、磷、锑 掺杂 | |
| 氧化物 | 锰、铁、镍、镓、镓、铋、铉 | |||
| 拓扑绝缘体 （TI） | 锗、锡、碲、铋、GeSb | 硼 | 硒, 碲 | |
