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iMBE 系统

全自动MBE硬件设置用于薄膜生长,例如用于半生产和用户方便的非常高质量原子层的沉积。

iMBE 系统用于单晶的薄膜沉积,具有磁特性、形貌、晶体学、薄膜厚度等的原位表征功能。

特征

  • 全自动和软件控制的 MBE 平台
  • 适合 III/V、II/VI 族元素以及其他异质结构的生长
  • DN 63CF 端口中多达 10 个蒸发源,带电源
  • 电源的带阀裂解源
  • 带电源的大功率电子枪
  • 1-4 轴电动或手动机械手,带接收站,能够实现高达 1400°C 的高温(带有稳定、长寿命的固体 SiC 加热器元件)
  • 基板支架尺寸范围:从 10×10 mm 到 4 英寸
  • 极限压力从 5×10 起-10至 5×10-11毫巴
  • 工艺腔 450 mm,带可更换的底部法兰,最多可安装 10 个端口 DN 63CF 用于蒸发源
  • 带门通道和差速泵送系统的工艺室,
  • 泵送系统(基于前级泵、TMP、离子泵和TSP)
  • 用于沉积速率测量和厚度监测器的石英天平,带有 Z 机械手,用于测量焦点的速率
  • RHEED/TorrRHEED 带设备
  • 63CF 端口上的附加独立快门
  • 用于样品架装载
    的 Load Lock 室
  • 可靠、快速的线性传输系统,从负载锁到工艺室
  • 2散热罩
  • 内部防护罩 
  • 带设备的真空计
  • Viewports – 带百叶窗的观察窗
  • 烘烤前带有集成吹扫管路的冷却系统
  • Bakeout 系统 
  • 系统的可调节刚性主机架 
  • 电子单元的 19 英寸机柜
  • 通过PLC单元和Synthesium软件完全控制沉积过程和设备

描述

处理室包含10个蒸发源端口,基底阶段适用于直径高达4英寸的样品,具有加热和旋转选项。 它可以通过带有线性传输系统的负载锁室或直接通过差动泵门轻松进入。 沉积过程可以在很宽的温度范围内进行控制(从 LN2高达 1400°C),并且可以完全通过 PLC 控制器进行软件编程和控制。

工艺腔室配有 UHV 标准的连接法兰,用于连接当前和未来的设备,包括: 

  • 最多 10 个带法兰 DN 63CF 的光源(高温或低温,单丝或多丝),
  • 带法兰的独立百叶窗 DN 63CF,
  • 带电源的带阀裂解器源,
  • 带电源的大功率 E-guns,
  • 温度范围 (LN 起)2高达 1400°C)、
  • 泵送系统(基于备用泵、TMP、离子泵和TSP泵),
  • 带设备的真空计,
  • 用于线性传输系统的入口,例如来自负载锁、径向分配室、传输隧道或运输箱
  • 带 Z 机械手的石英天平,
  • RHEED/TorrRHEED 与设备,
  • 电动或手动快门(跟随基材),用于邻近层或掩模,
  • 附加气体加注系统,例如。对于反应沉积过程,
  • viewports – 带百叶窗的观察窗,
  • 残余气体分析仪 /
  • 光束通量监测器 /
  • 诊断设备的加热视口。

使用专门设计的手推车可以很容易地拆卸/更换底部法兰,因此为您的生长过程提供了各种不同的来源配置和选项。一个多功能手推车可用于更换底部法兰、冷冻板和衬垫(便于清洁)。由于可以用源替换底部法兰,因此一个沉积室可以适应不同的应用。

最终的设计和功能取决于系统配置。

如果需要,该系统的模块化设计允许通过径向分布传输解决方案或传输隧道与任何其他研究平台组合和集成。

泵送系统与工艺腔室的标准容积相结合,可达到 5×10 范围内的极限压力-10– 5×10-11 mbar,具体取决于泵的配置。 泵送系统是不同类型泵的组合,例如前级真空泵、离子泵、低温泵、涡轮分子泵或钛升华泵,根据特定应用需求单独选择以实现最佳泵送性能。 

Synthesium 过程控制软件允许各种类型和制造商的来源进行集成和完美合作,并实现轻松的配方编写、自动生长控制和广泛的数据记录。允许基于 Tango 开源设备集成新的附加组件。

该系统配备了先进、易于使用的电源电子设备,用于控制和支持离子源和整个包含的研究设备。

选项

  • 额外的储存室 
  • 电动手动快门(跟随基材),用于邻近图层或掩模
  • 防止交叉污染的防护罩 
  • 真空手提箱(运输箱),在负载锁室中带端口
  • 附加气体加注系统,例如。用于反应沉积工艺
  • 残余气体分析仪
  • 光束通量监测器 
  • 诊断设备的加热视窗
  • 高温计

应用

应用来源
积液细胞电子束蒸发器带阀裂解器源升华源
金属铝、钴、镍、铜 (等)钼、钯、钽、钨、铂
III/V 组铍、铝、镓、铟磷、砷、锑碳、硅掺杂
第 II/VI 组铍、锌、镉硫、硒、碲
第四组锗、锡、铅硅、锗硼、磷、锑 掺杂
氧化物锰、铁、镍、镓、镓、铋、铉
拓扑绝缘体 (TI)锗、锡、碲、铋、GeSb硒, 碲

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