电子束蒸发器 EBV 40A1
电子束蒸发器 EBV 40A1 专为超纯亚单层和多层 MBE 薄膜生长而设计。
描述
精确定义的蒸发光束意味着在样品上高度均匀地沉积，沉积面积由电子束蒸发器到样品的距离以及选择易于更换的出口孔之一来确定。电子束蒸发器 EBV 40A1 可选择手动或自动快门。定制插入长度 190 – 345 mm（可根据要求提供其他插入长度）。
技术数据
| 安装法兰 | DN 40CF （可旋转） |
| 温度范围（用于蒸发材料） | 160 °C – 2300 °C（钼连接器为 3300 °C） |
| 灯丝电流 | 通常为 1.8 – 2.2 A，最大 2.3 A |
| 蒸发棒直径 | 2 mm 标准（可根据要求提供其他），步长 2 mm，送丝 25 mm，线长 43 mm |
| 水冷 （必需） | 水流量：> 0.5 升/分钟，温度：20-30 °C，最大压力：6 巴 |
| 出口孔径直径 | 集合 1：ID 4、ID 6、ID 7.4（标准） 集合 2：ID 10、ID 14、ID 19 |
| 快门类型 | 手动或气动 |
| 权力 | – 50 W，用于高蒸气压材料 – 高达 200 W，用于坩埚和粗线 |
| 能量范围 | 1 – 1500 伏 |
| 阴极类型 | 钍钨 |
| 坩埚类型 （可选） | 克努森电池类型由以下材料制成：Mo、W、衬管 PBN、Al2O3 |
| 坩埚体积 | 0.07 毫升 |
| 蒸发材料 | 根据坩埚类型的所有典型材料 |
| 别人 | – 通过离子电流调节磁通量，包括电极、馈入件、显示单元和 PID 调节器 – 后装式蒸发器 |
| 插入长度 | 最小 190 mm （可根据要求提供） 外径： 34.8 mm |
| 沉积区域 | 取决于工作距离（例如，距离 25 mm – ID 4 时为 6 mm，距离 75 mm – ID 19 时为 33 mm） |
| 工作距离 | 25 – 75 mm （最佳） |
| 烘烤温度 | 最高 250°C |
| 工作压力 | <10-5毫巴 |
特征
- 手动或电动气动快门，集成磁通量监视器
- W/Th-filament 用于从棒材或小型可导电坩埚中蒸发
- 多种可更换的出口孔
- 一体式水冷
- 适用于各种材料
- 独特的高可靠性设计
- 极高的功率密度
- 极高的功率密度
选项
- 定制插入长度
- 带或不带集成手动/电动气动快门
- 线性偏移
- 坩埚
