磁控管源 |3 英寸靶材
磁控管源，用于在溅射工艺中涂覆具有高均匀性的薄层。适用于直径为 3 英寸的目标。
根据溅射过程所需的条件，我们提供两种类型的源：B型和C型。
所有类型都与我们的 M600DC-PS 电源以及市场上的所有其他 DC、RF 和脉冲直流电源完全兼容。
源类型B
B 型磁控管源用于在溅射工艺中涂覆具有高均匀性的薄层。源与 UHV 条件兼容。磁控管源专为溅射磁性和铁磁性材料而设计。它可以在厚达 7 mm 的目标上运行。
| 安装法兰 | DN 160 立方英尺* |
| 最大功率（直流模式） | 600 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 600 瓦射频 ** |
| 最大电压 DC | 1200 伏 |
| 连接器 DC/RF | 类型 7/16 |
| 目标 | |
| 形式 | 戒指 |
| 直径 | 3 英寸（76.2 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 1 – 7 mm （磁性和非磁性） |
| 冷却 | 间接 |
| 㳁 | 最小 1 升/分钟 |
| 最高进水温度 | < 28 °C |
| 最大水压 | 3 巴 |
| 管径 | Ø6×1 毫米 PTFE |
| 磁铁材料 | 钐钴 （SmCo） |
| 磁体最高温度 | 350°C |
| 内部气动百叶窗 | 是的 |
| 快门类型 | 圆顶型或平摆动型 |
| 原位倾斜模块 | 是的，范围 +45° ÷ -10° |
| 烟囱 | 是的 |
| 专用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 铜 | 18.72 nm/min（距离：170 mm;目标厚度：3 mm）*** |
| 钛 | 4.10 nm/min（距离：170 mm;目标厚度：3 mm）*** |
| 铁 | 5.16 nm/min（距离：170 mm;目标厚度：3 mm）*** |
| 内部进气口 | 是（VCR 标准） |
| 工作气体 | 氦气 |
| 最大工作压力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作压力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
源类型C
C 型磁控溅射源与 RF 和 DC 兼容，可以沉积许多类别的材料：导体、半导体和绝缘体。磁控管源能够产生均匀、均匀和小晶粒的薄膜;具有高密度（低空隙面积）、高镜面反射率（反射率）以及无辐射损伤和断裂键等优点。
| 安装法兰 | DN 160 立方英尺* |
| 最大功率（直流模式） | 600 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 600 瓦射频 ** |
| 最大电压 DC | 1200 伏 |
| 连接器 DC/RF | 类型 7/16 |
| 目标 | Keeper 标准 |
| 形式 | 循环 |
| 直径 | 3 英寸（76.2 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 1 – 6 毫米 |
| 冷却 | 间接 |
| 㳁 | 最小 1 升/分钟 |
| 最高进水温度 | < 28 °C |
| 最大水压 | 3 巴 |
| 管径 | Ø6×1 毫米 PTFE |
| 磁铁材料 | 硼化钕铁 （NdFeB） |
| 磁体最高温度 | 200 摄氏度 |
| 内部气动百叶窗 | 是的 |
| 快门类型 | 圆顶型或平摆动型 |
| 原位倾斜模块 | 是的，范围 +45° ÷ -10° |
| 烟囱 | 是的 |
| 专用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 铜 | 19.76 nm/min（距离：150 mm;目标厚度：3 mm）*** |
| 钛 | 4.08 nm/min（距离：150 mm;目标厚度：6 mm）*** 4.32 nm/min（距离：150 mm;目标厚度：3 mm）*** |
| 内部进气口 | 是（VCR 标准） |
| 工作气体 | 氦气 |
| 最大工作压力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作压力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
特征
- 带或不带原位倾斜模块
- 安装法兰范围
- 标准烟囱
- 气动圆顶式或侧摆式百叶窗
- 间接冷却
选项
- 质量流量控制器 （MKS MF1）
- 定制长度
- Z纵器
