Polygon Physics Ion assisted deposition 离子辅助沉积
在沉积过程中改善薄膜性能
在离子辅助沉积中，目标是通过将离子束对准正在生长的薄膜来改变其性能。离子辅助通常与通过蒸发或其他技术进行的薄膜沉积结合使用，对于这些技术，到达的粒子动能较低。对于此类沉积方法，涂层可能具有较低的堆积密度、较大的孔隙率、相对较大的晶粒以及内部拉应力。在沉积过程中通过将离子束对准表面，能量被传递到正在生长的薄膜上，这有助于使薄膜致密化。离子辅助沉积还可用于有意在薄膜中引入压应力，以改善其机械性能。
离子辅助还是离子损伤：相关参数
离子束对生长中的薄膜性质的影响取决于多种因素。一个主要因素是每个沉积原子传递到表面的能量（电子伏特 / 原子）。这个能量应该足够高，以帮助原子移动，但又不能太高以至于熔化表面。这些能量会随着沉积材料而变化，上限可能在每个原子几电子伏特到几百电子伏特之间。离子束与表面的角度也是一个相关参数，因为它会影响表面的粗糙度。这对于需要有清晰界面的多层膜来说可能尤为重要。
薄膜沉积速率和离子束每个原子应传递的期望能量共同决定了给定能量的离子束所需的电流密度。该电流密度可以从几微安每平方厘米到几百微安每平方厘米不等。离子束辅助沉积通常在低束能下进行，最高可达几百伏，以避免对正在生长的薄膜进行溅射或蚀刻。
离子辅助表面处理
我们的电子回旋共振（ECR）技术的稳定性和可靠性对离子辅助应用具有吸引力。对于我们的离子源，不存在会烧毁且需要更换的热灯丝。根据需要处理的表面积，我们提供单腔离子源或多腔离子源，两者的束流能量都能得到良好控制且可调节。对于更大的面积，多腔解决方案还有一个额外的优势，即束流形状可以适配表面几何形状（圆形、环形、线性等）。
