Polygon Physics IE-GUN | ECR source for high energy beams Plug & Play up to 50kV 高能束流的电子源,离子源

 

IE 离子枪是我们的单腔电子回旋共振(ECR)源模块,用于即插即用的高能离子或电子束。它的配置电压可达 50 千伏,可安装在任何带有 160 毫米(低于 30 千伏时为 100 毫米)CF 或 LF 法兰且具备足够抽速的真空系统上。只需插入即可,无需高压平台。
束流操作
这些束流由获得专利的微型电子回旋共振(ECR)源(COMIC)产生,并通过双间隙系统引出,该系统可让您调整束流形状(会聚、平行或发散)。您可以在此处找到更多关于该技术的信息。引出的电流可通过三个参数进行调节:超高频(UHF)功率、源气体压力以及 ECR 腔出口处的电场强度(由相对于束流电压的聚焦电压决定)。

软件

该软件的源程序配有一个用户友好的控制与监测界面,可让您对光束进行调校、记录数据并运行存储的方案。此外,还提供 Labview 驱动程序,以便将我们的软件与其他系统集成。

 

自由定位选项
对于在给定真空系统内对源进行自由定位,我们还提供一种灵活版本,无需刚性支撑。使用与真空兼容的绝缘支架将其安装在您想要的任何位置,该支架用于固定源体。这对于源需要相对于样品移动的应用(如离子束修形(IBF)),或者对于系统对源模块在系统上的安装位置以及光束所需位置存在限制的应用可能会有意义。

高压平台兼容选项

如果您已经配备了高压平台,我们的高压平台兼容版本可能更为合适。在此适配方案中,源端与安装法兰不再进行电气隔离。因此,源端与法兰之间的距离可以缩短。

 

构建你自己的多源系统

组装一套属于你自己的用于制备多组分薄膜的定制离子束沉积系统。通过在共焦几何结构中使用多个离子源,可以获得均匀的薄膜。每个离子源溅射各自的靶材。靶材可以是从手工切割的金属箔片到烧结颗粒等任何材料。

IE 枪在实际应用中的案例(用户应用):
离子束溅射沉积非晶硅和氧化物薄膜,旨在获得具有低光吸收和低机械损耗的涂层,以用于性能更优的引力波探测器。薄膜的良好特性归因于我们离子源的沉积特性和洁净度。您可以在此处了解更多相关信息。
・IE 枪作为静电加速器的电离源和注入器,用于研究多环芳烃分子(PAHs)的冷却动力学。多环芳烃被认为是星际介质中特征红外发射带的可能载体。对于此应用,我们离子源能够在不使气体分子裂解的情况下使其电离(“软电离”),这一能力激发了用户对该离子源的兴趣。

 

技术数据

源模块配备 19 英寸电源机架、SMA 和高压电缆、电源线以及 USB 软件。不包括源气体、源冷却系统(世伟洛克 6 毫米管件)和个人电脑。离子注入枪可根据您的特定需求定制。如需了解相关可能性,请联系我们,或查看我们关于定制束流解决方案的页面。30kV 及以下型号的规格:

 


Related posts