IE-GUN高能束流ECR离子源
即插即用 支持高达50千伏
IE-gun是我们首创的单腔体ECR离子源模块，采用即插即用设计，可产生高能离子束或电子束。该设备最高可配置50千伏电压，并能安装在任何配备160毫米CF/LF法兰（<30千伏适用100毫米法兰）且具有足够抽速的真空系统上。无需高压平台，接通即可使用。其他类型ECR离子源请浏览我们的产品页面。
【束流操作】
束流由获得专利的微型ECR离子源（COMIC）产生，通过双间隙提取系统可调节束流形态（会聚型、平行型或发散型）。点击了解技术详情。提取电流可通过三个参数调节：超高频率（UHF）功率、源气体压力，以及ECR腔体出口处的电场强度（由聚焦电压与束流电压的相对值决定）。
【智能软件】
配备用户友好的控制监测界面，可进行束流调节、数据记录和预设配方操作。提供Labview驱动程序以便与其他系统集成。
【自由定位选配】
针对需要灵活布位的真空系统，我们提供无刚性支架的柔性版本。您可使用真空兼容绝缘支架将离子源主体安装在任何位置。此方案特别适用于以下场景：
• 离子源需相对于样品移动的应用（如离子束修形IBF）
• 系统对离子源安装位置和束流路径有特殊要求的应用
【高压平台兼容选配】
若您已配备高压平台，我们的高压平台兼容版本将更为适合。此版本中离子源与安装法兰不再电气隔离，因此可缩短两者间距。
【定制多源系统】
构建专属多组分薄膜离子束沉积系统。采用共焦几何结构的多离子源可制备均匀薄膜——每个离子源溅射其专属靶材，靶材选择范围涵盖手工裁剪金属箔片至烧结颗粒。
【IE-gun实际应用案例】
• 用于非晶硅和氧化物薄膜的离子束溅射沉积，所制备的低光吸收/低机械损耗涂层可提升引力波探测器性能。研究表明优异薄膜特性源于我们离子源独特的沉积特性和洁净度。点击阅读案例详情
• 作为静电加速器的电离源和注入器，用于研究多环芳烃分子（PAHs）的冷却动力学。多环芳烃被认为是星际介质中特定红外发射带的潜在载体。该应用青睐我们离子源的关键在于其”软电离”能力——可实现气体分子电离而不致分子解离。
【技术参数】
标准交付包含：19英寸电源机架、SMA/HV电缆、电源线及USB控制软件。需用户自备：源气体、源冷却系统（Swagelok 6mm接口）、控制电脑。我们支持定制化解决方案，具体需求请联系我们或查看定制束流方案页面。
30kV型号技术规格：
Polygon physics高能束流ECR离子源、IE-GUN高能束流ECR离子源、单腔体ECR离子源模块、微型ECR离子源
