美国Agiltron光纤可变衰减器实验室用直驱光纤可变衰减器 BNC
美国Agiltron光纤可变衰减器实验室用直驱光纤可变衰减器 BNC特征：
- 通过施加 0 至 8 V 信号来控制光功率
- 直流响应高达 1.5 kHz
- 函数发生器直接驱动
- 单模和永磁作
- 覆盖 450 至 2300 nm 的波长
- FC/APC 连接器标准（其他可用）
- BNC输入
- 0.3 毫秒快速响应
- 良好的重复性
- 低功耗
| 1260~1650nm 460nm 630nm 780nm 850nm 1060nm 2000nm | |
| SMF-28 PM1550 MM 62.5/125 SM450 SM600 780HP Hi1060 PM460 PM630 PM780 PM980 SM1950 PM1950 | |
| 0.9mm tube | |
| 0.5-1m | |
| FC/APC |
美国Agiltron光纤可变衰减器实验室用直驱光纤可变衰减器 BNC描述
货号： VOAD
VOAD 系列可变光衰减器由带宽高达 1.5 kHz 的函数发生器直接驱动，衰减高达 >30 dB。它是实验室使用的便捷工具。0 至 8 V 的驱动电压控制无极性的光传输，极性随着施加的电压而降低，调制频率高达 1.5 kHz。大多数电压源，包括电源、函数发生器和数模转换器 （DAC），都可用于控制这些电子 VOA。MEMS VOA 是一种需要很少电流的静电器件。但是，施加超过 15 V 的电压可能会损坏设备。美国之音是光学双向的。
单模选择
| 纤维类型 | SM460 | SM600 | 780HP | Hi1060 | SM28 | SM2000 |
| 波长范围 （nm） | 480-650 | 620-650 | 760–980 | 980–1250 | 1250–1650 | 1700-1300 |
| 插入损耗 （dB） | < 5 | < 3 | ≤ 2 | ≤ 2 | ≤ 1.5 | ≤ 1.5 |
| 最大衰减 （dB） | > 30 | > 30 | > 30 | > 30 | > 30 | > 30 |
| 最大光功率 （W） | 0.05 | 0.1 | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.3 |
| 偏振 DL | 0.4 分贝 @ 20 分贝 | 0.3 分贝 @ 20 分贝 | 0.3 分贝 @ 20 分贝 | 0.2 分贝 @ 20 分贝 | 0.2 分贝 @ 20 分贝 | 0.2 分贝 @ 20 分贝 |
| 回波损耗 （dB） | ≥ 45 | ≥ 45 | ≥ 45 | ≥ 45 | ≥ 45 | ≥ 45 |
| 工作温度 | 0 至 50°C | 0 至 50°C | 0 至 50°C | 0 至 50°C | 0 至 50°C | 0 至 50°C |
| 储存温度 | -50 至 85°C | -50 至 85°C | -50 至 85°C | -50 至 85°C | -50 至 85°C | -50 至 85°C |
偏振模式选择
| 纤维类型 | PM460 | PM630 | PM780 | PM980 | PM1550 |
| 波长范围 （nm） | 460-700 | 620-650 | 760–1100 | 960–1200 | 1260–1650 |
| 插入损耗 （dB） | < 5 | < 3 | ≤ 2 | ≤ 2 | ≤ 1 |
| 最大衰减 （dB） | > 30 | > 30 | > 35 | > 35 | > 35 |
| 消光比 （dB） | > 16 | > 16 | > 16 | > 16 | > 18 |
| 回波损耗 （dB） | ≥ 35 | ≥ 35 | ≥ 35 | ≥ 35 | ≥ 35 |
| 最大功率 （mW） | 50 | 100 | 100 | 100 | 300 |
| 工作温度 | 0 至 70°C | 0 至 70°C | 0 至 70°C | 0 至 70°C | 0 至 70°C |
| 储存温度 | -50 至 90°C | -50 至 90°C | -50 至 90°C | -50 至 90°C | -50 至 90°C |
多模式选择
| 纤维类型 | 62.5/125 |
| 波长范围 （nm） | 800–1600 |
| 插入损耗 （dB） | ≤ 1 |
| 最大衰减 （dB） | 30 |
| PDL （分贝） | 0.01 |
| 回波损耗 （dB） | ≥ 35 |
| 最大光功率 （W） | 0.3 |
| 工作温度 | 0 至 50°C |
| 储存温度 | -40 至 85°C |
MEMS 可变光纤衰减器 （VOA）
适用于所有应用场景的各种光纤衰减器。类型包括由二维MEMS制成的VOA，具有良好的重复性和低成本;由具有 >70 dB 高衰减的 1D MEMS 制成的 VOA;由光纤直接耦合到光纤MEMS制成的VOA，具有超低损耗<0.2dB，超宽带350至240nm，振动不敏感;以及由具有超快 V < 100ns 响应的光学晶体制成的 VOA。其中许多可以配置为处理：高达 10W 的高功率、高达 1mm 的大芯光纤、超小尺寸、大阵列、精度和具有反馈控制的高可重复性。这些 VOA 系列完全符合 Telcordia 1209 和 1221 可靠性标准。
