美国Opto Diode 近红外高功率LED 型号OD-110L/ OD-110W

Opto Diode 近红外高功率 LED

Opto Diode 的近红外(NIR)高功率 LED 专为高要求应用而设计,能够提供精确、高输出的红外照明。这些器件的发射波长覆盖 700 nm 到 1300 nm 范围,具备卓越的辐射性能、光谱稳定性以及长寿命

我们的高功率 NIR LED 单芯片可提供高达 250 mW(直流) 的输出,多芯片阵列可达 1000 mW(直流),非常适用于夜视、监控、工业传感以及其他关键任务系统。我们提供标准和定制配置,以满足您对波长、输出功率和封装的具体要求。

功率 · 精准 · 可靠(应用与技术亮点)

特点

应用

  • 医疗与生物医疗设备

  • 国防与航空航天

  • 科学研究与仪器设备

型号零件编号描述功率输出认证与合规
OD-110LOD-850-006窄角 TO-39 封装 850 nm 发光器100 mWROHS、Reach
OD-110LISOLHTOD-850-014窄角 TO-39 封装 880 nm 发光器100 mWROHS、Reach
OD-110WOD-850-005宽角 TO-39 封装 850 nm 发光器140 mWROHS、Reach
OD-110WISOLHTOD-850-015宽角 TO-39 封装 880 nm 发光器120 mWROHS、Reach
OD-250OD-850-007宽角 TO-39 封装 850 nm 发光器250 mWROHS、Reach
OD-663OD-880-015TO-66 封装 880 nm 发光器425 mWROHS、Reach
OD-663-850OD-850-011TO-66 封装 850 nm 发光器425 mWROHS、Reach
OD-666OD-880-016TO-66 封装 880 nm 发光器330 mWROHS、Reach
OD-669OD-880-017TO-66 封装 880 nm 发光器500 mWROHS、Reach
OD-669-850OD-880-013TO-66 封装 850 nm 发光器1250 mWROHS、Reach