OPTO DIODE CORPORATION
Opto Diode 的 SXUV 系列光电二极管专为精确探测极紫外(EUV)辐射、X 射线以及电子而设计。该系列探测器具有 20 mm² 的大圆形有效感光面积,在 1 nm 至 200 nm 波长范围内具备卓越的响应度,非常适合高强度的 EUV 应用。
SXUV 探测器——具备高抗辐射能力与稳定的 EUV 响应度
特点
高抗辐射能力
低噪声性能
宽光谱响应度
应用
极紫外(EUV)光刻
X 射线光谱分析
同步辐射监测


AXUV(高能光子、电子和 X 射线探测)
AXUV 系列探测器可对 0.0124 nm 至 190 nm 波长范围内的光子、电子或 X 射线进行高性能测量,并可探测 100 eV 至 50 keV 的能量,具有卓越的 100% 内部量子效率。
AXUV 探测器在电子、X 射线以及极紫外探测方面具有高稳定性和高精度。
特点
大探测面积
从紫外到可见光范围内 100% 量子效率
无窗设计,增强 200 nm 以下波段的响应能力
应用
电子探测
同步辐射监测
电子掩模检测
我们可提供的产品



UVG(深紫外 & 极紫外探测)
Opto Diode 的 UVG 系列光电二极管专为高灵敏度探测深紫外(DUV)和极紫外(EUV)辐射而设计。在 190 nm 至 400 nm 波长范围内具有卓越的响应度,这些探测器为科学、工业和航空航天等要求严格的应用提供了精确性和稳定性。UVG 光电二极管设计具有低暗电流和高量子效率,在需要精确紫外测量的环境中表现可靠。
UVG 探测器特点
高紫外响应度
低暗电流
高量子效率
应用
半导体光刻
航空航天及环境监测
紫外光谱分析
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可见光(蓝光和红光增强型探测器)
Opto Diode 提供高品质的标准型和定制型硅光电二极管,适用于可见光谱范围。我们拥有多种器件,具有低暗电流和低电容特性。在 400 nm 至 740 nm 波长范围内,我们生产蓝光增强型和红光增强型器件,适用于多种应用。
硅探测器特点
低暗电流
低电容
在 400 nm 至 740 nm 波段增强响应度
应用
光度测量与色度测量
脉搏血氧仪
条码扫描仪
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PbSe(红外探测器)
Opto Diode 的 PbSe 红外探测器在中波红外(MWIR)检测应用中提供卓越的高灵敏度和快速响应。在 1 µm 至 5.5 µm 波段范围内具有强烈的光谱响应,这些探测器在热成像、气体分析和工业传感中提供可靠的性能。其高探测率 (D*) 和低噪声特性,使其成为科学、航空航天和国防领域中对精度和稳定性要求较高应用的理想选择。
PbSe 探测器特点
宽光谱响应
高灵敏度
可选热电制冷
应用
气体分析与光谱测量
火焰与燃烧监测
航空航天与国防
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PbS(红外探测器)
Opto Diode 的 PbS 探测器专为 1 µm 至 3.5 µm 光谱范围的稳定、高性能红外检测而设计。该探测器具有低噪声、高探测灵敏度以及出色的长期稳定性,适用于低光红外应用,如气体检测、火焰探测和远程温度监测。其耐用性和精确度使其成为科学、工业及国防领域中需要精确红外测量应用的理想选择。
精确、可靠的应用与技术亮点
特点
红外灵敏度高
低噪声、高探测灵敏度
长期稳定性强
应用
气体检测与光谱分析
火焰与火灾探测
远程温度监测
我们可提供的产品


