美国OPTO DIODE 近红外高功率发光二极管、OPTO DIODE发光二极管、进口代理OPTO DIODE

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Opto Diode公司的近红外（NIR）高功率LED发光二极管专为需要精确、高输出红外照明的苛刻应用而设计。这些设备的工作波长范围在700纳米至1300纳米之间，具备出色的辐射性能、光谱稳定性和长使用寿命。

Opto Diode的高功率近红外（NIR）LED单芯片输出功率可达250毫瓦（直流电），多芯片阵列的输出功率可高达1000毫瓦（直流电），非常适合用于夜视、监控、工业传感以及其他关键任务系统。我们提供标准配置和定制方案，以满足您对波长、输出功率和封装方式的具体要求。