美国Opto Diode近红外发光二极管,Opto Diode IRLED
Opto Diode 制造一流的发光二极管 (LED)，适用于需要坚固、密封封装以承受极端温度的各种应用。从我们的宽、中或窄光模式的可见光、近红外光、光束角窄的红色或蓝色高输出可见 LED 或用于夜视和监控应用的高功率近红外 LED 中进行选择。非常适合医疗、汽车、科学、商业、成像、航空航天和其他要求苛刻的军事或工业任务。
美国Opto Diode分段光电二极管
Opto Diode 制造高质量的标准和定制光电二极管。我们范围广泛的标准器件具有低暗电流和低电容的特点。硅探测器非常适合通用应用、激光监控、位置感测、测量光子、电子或 X 射线，或用于检测日晒雨淋应用。这些设备的工作范围从深紫外线到近红外波长。
Opto Diode 设计和制造高质量的标准和定制传感器和发射器，涵盖短波长、X 射线、EUV、紫外线、可见光、近红外和中红外波长。我们的标准和定制解决方案可满足航空航天、环境、火灾、火焰或气体检测、医疗、军事、工业、科学或半导体市场的各种应用要求。
美国Opto Diode LED：近红外发光二极管
近红外发光二极管 (IRLED) 以宽、中或窄输出模式制造，并采用坚固的密封封装。金属外壳是最佳散热的理想选择，工作温度范围为 -65°C 至 +150°C。Opto Diode 的 IRLED 提供范围广泛的线性功率输出，并提供高速等级。
| 型号 | 零件号 | 描述 | 输出功率 |
| OD-800F | OD-810-005 | 高可靠性抗辐射窄角 IR 810nm 发射器 | 3毫瓦 |
| OD-800L | OD-810-003 | 高可靠性抗辐射中等角度 IR 810nm 发射器 | 3毫瓦 |
| OD-800W | OD-810-002 | 高可靠性抗辐射广角 IR 810nm 发射器 | 3毫瓦 |
| OD-850F | OD-850-004 | 窄角 TO-46 850nm 发射器 | 30毫瓦 |
| OD-850FHT | OD-850-010 | 窄角 TO-46 850nm 发射器，高温 | 22毫瓦 |
| OD-850L | OD-850-003 | 中角 TO-46 850nm 发射器 | 35毫瓦 |
| OD-850LHT | OD-850-009 | 中角 TO-46 850nm 发射器，高温 | 25.5毫瓦 |
| OD-850W | OD-850-002 | 广角 TO-46 850nm 发射器 | 40毫瓦 |
| OD-850WHT | OD-850-008 | 广角 TO-46 850nm 发射器，高温 | 27.5毫瓦 |
