Opto Diode 生产高质量标准和定制光电二极管。我们广泛的标准器件具有低暗电流和低电容的特点。硅探测器非常适合通用应用、激光监测、位置传感、测量光子、电子或 X 射线，或检测阳光和雨水应用。这些器件的工作波长范围为深紫外到近红外波长。

Opto Diode 利用光电集成，提供具有各种增益和带宽的标准和定制放大器混合器件。设备集成了 TIA、后置放大器、热电冷却器、光源和诊断电子设备。

特征
•活动区域大
•低噪音
•高灵敏度
•可定制收益
•密封TO-39

光电特性（23°C）

参数
测试条件
最小值 典型值 最大值

• 有效面积：3.30 mm x 1.78 mm
  • 5.87 mm²
• 暗电压偏移
  • Vs = ±5 V
  • 1.2 mV
  • ±2 mV
• 暗电压偏移噪声
  • Vs = ±5 V
  • 带宽（BW） = 0.1 到 1000 kHz
  • 198 µV rms
  • 250 µV rms
• 灵敏度
  • Vs = ±5 V
  • λ = 940 nm
  • 55 V/µW
  • 900 V/µW
• 频率响应（-3 dB）
  • Vs = ±5 V
  • 63 Hz
  • 1000 Hz
• 噪声等效功率（NEP）
  • λ = 940 nm
  • 30 fW/√Hz
• 跨阻增益
  • 100 MΩ
• 供电电流
  • 850 µA
  • 950 µA

绝对评级

参数
单位

• 电压供应范围：+V 至 –V*
  • 5 至 15 V
• 功率耗散：
  • 15 mW
• 存储和工作温度：
  • -25°C 到 +100°C
• 焊接温度（离封装1/16英寸，焊接最大3秒钟）：
  • +260°C

注：设备的电压供应范围要求从 +V 至 –V 的电压在最小5V至最大15V之间。