Opto Diode 生产高质量标准和定制光电二极管。我们广泛的标准器件具有低暗电流和低电容的特点。硅探测器非常适合通用应用、激光监测、位置传感、测量光子、电子或 X 射线，或检测阳光和雨水应用。这些器件的工作波长范围为深紫外到近红外波长。

Opto Diode 提供多元件或阵列探测器的标准和定制配置，在紧凑的封装中提供我们的 AXUV、SXUV、UVG 和 NXIR 系列的所有优点。

特征
•40针双列直插式封装
•电子探测的理想选择
•保护盖板3

光电特性（25°C）

参数
测试条件
最小值 典型值 最大值

• 有效面积：2 mm x 5 mm
  • 10 mm²
• 响应度（见下一页图表）：（未给出数值）
• 反向击穿电压，VR
  • IR = 1 µA
  • 25 V
• 电容，C
  • VR = 0 V
  • 700 pF
• 上升时间
  • VR = 0 V
  • 500 nsec
• 并联电阻（每个元件）
  • Vf = ±10 mV
  • 100 MΩ

热参数

• 存储和工作温度范围
  • 环境温度
    • 氮气或真空环境：
      • 存储温度范围：-10°C 到 40°C
      • 工作温度范围：-20°C 到 80°C
• 引脚焊接温度：
  • 260°C

说明：超过这些温度参数可能会导致光电区域的氧化生长，随着时间的推移，会影响低能辐射和小于150 nm波长的响应度。