美国 OPTO DIODE 光电二极管 UV 增强探测器 (UVG)Photodiode 13 mm2 UVG12
光电二极管
Opto Diode 生产高质量标准和定制光电二极管。我们广泛的标准器件具有低暗电流和低电容的特点。硅探测器非常适合通用应用、激光监测、位置传感、测量光子、电子或 X 射线,或检测阳光和雨水应用。这些器件的工作波长范围为深紫外到近红外波长。
光电二极管:UV 增强探测器 (UVG)
UVG 系列检测器在宽温度范围内具有稳定的响应性,并且在 190nm 至 400nm 的紫外光下具有较长的使用寿命。这些设备适用于各种应用,包括 UV-A、UV-B、UV-C 激光器的激光监测。
特征
•圆形活动区域
•193-400nm检测的理想选择
•100%内部量化宽松
•最大UVG12响应率无上限
•用于运输的祭祀帽
UVG100,UVG12,UVG20C,UVG20S,UVG5S
光电特性(25°C)
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值
- 有效面积:Φ4.1 mm
- 13.2 mm²
- 响应度(见下一页图表):0.105 A/W
- 并联电阻,Rsh
- VF = ±10 mV
- 100 MΩ
- 1000 MΩ
- 反向击穿电压,VR
- IR = 1 µA
- (未提供数值)
- 电容,C
- VR = 0 V
- 3 nF
- 响应时间:
- VR = 0 V
- 4 μs
热参数
- 存储和工作温度范围
- 存储温度范围:-20°C 到 80°C
- 工作温度范围:(未提供具体值)
- 引脚焊接温度
- 离封装0.0625英寸处,焊接10秒钟
- 240°C
- 运输说明
- 配有临时保护盖,以保护光电二极管和线键接触点。