Opto Diode 生产高质量标准和定制光电二极管。我们广泛的标准器件具有低暗电流和低电容的特点。硅探测器非常适合通用应用、激光监测、位置传感、测量光子、电子或 X 射线，或检测阳光和雨水应用。这些器件的工作波长范围为深紫外到近红外波长。

分段光电二极管
常见的衬底分段探测器是精确归零或定心应用的理想选择，可提供双池或四池配置。

特征
•电子探测的理想选择
•圆形活动区域

光电特性（25°C）（每个元件）

参数
测试条件
最小值 典型值 最大值

• 有效面积（每个元件）：36.5 mm²
• 响应度（见下一页图表）：0.07 A/W
• 并联电阻，RsH
  • VR = ±10 mV
  • 10 MΩ
  • 0.08 MΩ
  • 0.09 MΩ
• 反向击穿电压，VR
  • IR = 1 µA
  • 5 V
• 电容，C
  • VR = 0 V
  • 2 nF
  • 6 nF
• 上升时间
  • VR = 2 V, RL = 50 Ω
  • 2 μs

热参数

• 存储和工作温度范围
  • 环境温度
    • 氮气或真空环境：
      • 存储温度范围：-10°C 到 40°C
      • 工作温度范围：-20°C 到 80°C
• 引脚焊接温度：
  • 260°C

超过这些温度参数可能会导致光电区域的氧化生长。
随着时间的推移，对低能辐射和小于150 nm波长的响应度将受到影响。

AXUVPS7,ODD-3W-2,SXUVPS4,SXUVPS4C