美国Nonsequitur Technologies,离子枪1407型,高电流密度斑点,具有传统电子冲击电离源的双层母体级别性能,应用包括在需要小坑以避免邻近样品区域损伤时进行螺旋钻或SIMS深度剖面,以及TEM/SEM样品的制备

美国Nonsequitur Technologies,离子枪1407型,高电流密度斑点,具有传统电子冲击电离源的双层母体级别性能,应用包括在需要小坑以避免邻近样品区域损伤时进行螺旋钻或SIMS深度剖面,以及TEM/SEM样品的制备

离子枪1407型

高电流密度斑点

Nonsequitur Technologies 1407型离子枪具有传统电子冲击电离源的双层母体级别性能。应用包括在需要小坑以避免邻近样品区域损伤时进行螺旋钻或SIMS深度剖面,以及TEM/SEM样品的制备。极高的刻蚀速率也使该柱可用于厚薄膜和微观结构的切片。

其他应用还包括离子铣削/微加工和半导体散装材料去除。离子的产生通过双丝电子冲击电离实现,以延长源寿命且无需打破系统真空。该源设计用于防止丝材在样品上的直视沉积。光学柱内包含一体化的法拉第杯,用于测量束流电流。光束扫描/转向通过在物镜前的八极结构实现。这可以纠正由于光束偏转引起的散光

  • 稳定发射的唯一离子源

  • 双钨合金灯丝

  • 超高真空结构

  • 电源和偏转电源集成在一个51/4英寸的19英寸机架式中

  • 电气连接和气体入口全部位于外壳后方,以便简化

元件
描述
束流能量
5eV至5000eV的连续变速
束流
最大20μA @ 5keV束流能量
即热量(FWHM)
@500nAkeV 15微米,@2μA 20微米,@20uA 75微米,5千伏,10毫米宽阻。
电气
115/220V 50/60Hz 自动选择
法兰
安装时使用4.50或6.00 CFF,泵送时2.75CFF,1.33(34毫米)CFF气体入口。

 


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